中能创光电科技(常州)有限公司毛卫平获国家专利权
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龙图腾网获悉中能创光电科技(常州)有限公司申请的专利光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120905784B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511434197.4，技术领域涉及：C30B33/10；该发明授权光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法是由毛卫平;花登根;廖纪星;姚美灵;施栓林;黄强设计研发完成，并于2025-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及光伏电池技术领域，特别是一种光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法，对硅片基体制绒后进行两次表面强化处理，得到表面强化的硅片基体，两次表面强化处理具体为：在第一次表面强化处理时采用刻蚀溶液A对硅片基体的表面形貌缺陷进行圆滑处理，在第二次表面强化处理时采用刻蚀溶液B对硅片基体的表面晶格缺陷进行平滑处理，作为刻蚀溶液B的酸性刻蚀溶液包含氢氟酸、氧化剂和去离子水，氧化剂为硝基化合物、亚硝基化合物中一种或几种的组合。有益效果是：通过两次表面强化处理，改善硅片基体的弯曲断裂强度，并最终提高晶硅光伏电池的弯曲断裂强度；不需使用特殊设备即可完成，具有生产成本较低、适用于大规模生产的优势。
本发明授权光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光伏电池的表面强化的硅片基体的制备方法，其特征是：对硅片基体制绒后进行两次表面强化处理，得到表面强化的硅片基体，两次表面强化处理为：在第一次表面强化处理时采用刻蚀溶液A对硅片基体的表面形貌缺陷进行圆滑处理，在第二次表面强化处理时采用刻蚀溶液B对硅片基体的表面晶格缺陷进行平滑处理； 所述刻蚀溶液B采用酸性刻蚀溶液，作为刻蚀溶液B的酸性刻蚀溶液包含氢氟酸、氧化剂和去离子水，氧化剂为硝基化合物、亚硝基化合物中一种或几种的组合。
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