西安电子科技大学董航获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120897651B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511314665.4，技术领域涉及：H10K71/30；该发明授权硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法是由董航;岳鑫;屈晋松;陈大正;张春福设计研发完成，并于2025-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法，涉及钙钛矿太阳能电池领域，该方法包括：制备钙钛矿前驱体溶液；将碘作为添加剂加入至钙钛矿前驱体溶液中得到混合溶液；将混合溶液通过旋涂工艺制备成薄膜，在旋涂过程中向薄膜表面滴加反溶剂，常温静置后形成钙钛矿薄膜；其中，反溶剂为掺杂硫代硫酸盐的氯苯溶液。本发明通过硫代硫酸盐与碘的氧化还原反应实现可控放热，替代传统热退火工艺，可以促进前驱体溶剂挥发，诱导钙钛矿材料结晶，在室温下即可获得高质量钙钛矿薄膜。
本发明授权硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种硫代硫酸盐掺杂的低应力室温柔性钙钛矿薄膜沉积方法，其特征在于，包括： 步骤1：制备钙钛矿前驱体溶液； 步骤2：将碘作为添加剂加入至所述钙钛矿前驱体溶液中得到混合溶液； 步骤3：将所述混合溶液通过旋涂工艺制备成薄膜，在旋涂过程中向薄膜表面滴加反溶剂，常温静置后形成钙钛矿薄膜； 其中，所述反溶剂为掺杂硫代硫酸盐的氯苯溶液。
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