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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利多模双频低噪声放大器、芯片及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120880354B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510809565.2，技术领域涉及：H03F1/42；该发明授权多模双频低噪声放大器、芯片及设备是由朱浩慎;全国海;林胤含;徐涛涛;李柱铭;薛泉设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本多模双频低噪声放大器、芯片及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种多模双频低噪声放大器、芯片及设备，其中放大器采用三级级联放大器拓扑结构设计，包括：第一级共源共栅放大器，其输入采用宽带输入匹配，输出端采用电感切换模块作为负载；通过偏置电压控制电感切换模块切换不同的电感值；第二级共源共栅放大器，其负载采用电感耦合的可重构双频负载；通过偏置电压控制可重构双频负载的频率响应切换；第三级共源共栅放大器，共源共栅放大器之间设置有开关陷波模块；通过偏置电压控制开关陷波模块的工作状态。本发明通过控制可变电感、可重构双频负载和开关电感电容陷波模块中相应的偏置，实现多模双频切换，即实现宽带、并行和可重构双频之间的切换。本发明可广泛应用于移动通信技术领域。

本发明授权多模双频低噪声放大器、芯片及设备在权利要求书中公布了：1.一种多模双频低噪声放大器，其特征在于，采用三级级联放大器拓扑结构设计，包括： 第一级共源共栅放大器，其输入采用宽带输入匹配，输出采用电感切换模块作为负载；通过偏置电压控制电感切换模块切换不同的电感值； 第二级共源共栅放大器，其负载采用电感耦合的可重构双频负载； 第三级共源共栅放大器，共源共栅放大器之间设置有开关陷波模块； 所述电感切换模块包括电感Lp1、电感Ls1、晶体管MT1、晶体管MT2、电阻RB和电容Cp； 所述电感Lp1的一端连接级共源共栅放大器的输出端，另一端连接电源电压； 所述电感Ls1与电感Lp1相互耦合，电感Ls1的一端连接晶体管MT1的源极，另一端连接晶体管MT1的漏极； 所述晶体管MT2的源极连接晶体管MT1的源极，漏极通过电容Cp连接至电感Ls1的中心抽头；所述电阻RB的一端连接晶体管MT1的源极，另一端接地； 所述晶体管MT1的栅极连接偏置电压VT1，晶体管MT2的栅极连接偏置电压VT；通过偏置电压控制晶体管MT1和晶体管MT2的导通情况，进而切换所述电感Lp1的感值。

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