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龙图腾网获悉领羚科技(上海)有限公司申请的专利一种组对结构的单管闪存阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120877816B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511403642.0，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权一种组对结构的单管闪存阵列是由金波;薛磊;刘洋;张文德;陈永耀;马超;陶长来设计研发完成，并于2025-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种组对结构的单管闪存阵列在说明书摘要公布了：本发明提供的组对结构的单管闪存阵列中，虚拟存储阵列位于有效存储阵列的外侧，虚拟存储阵列包括行列排布的多个虚拟组对结构，每个虚拟组对结构包括源极相连接的两个虚拟存储管，一列虚拟组对结构对应一列组对存储单元，一列虚拟组对结构连接同一列的组对存储单元对应的一组位线中的一条，一个虚拟组对结构中最多一个虚拟存储管的漏极与位线连接，一列虚拟组对结构中，至少位于列两端的两个虚拟存储管的漏极与对应的一条位线连接，其余的虚拟存储管的漏极与相邻的虚拟存储管的漏极连接。这样设置虚拟存储阵列，可以增加闪存阵列制作过程中的工艺调试余量，有利于提高工艺精度，提升产品良率，且还可以避免虚拟存储管漏电。

本发明授权一种组对结构的单管闪存阵列在权利要求书中公布了：1.一种组对结构的单管闪存阵列，其特征在于，包括： 有效存储阵列，其包括行列排布的多个组对存储单元，每个所述组对存储单元包括相邻且源极相连接的两个有效存储管； 虚拟存储阵列，其位于所述有效存储阵列的外侧，包括行列排布的多个虚拟组对结构，每个所述虚拟组对结构包括相邻且源极相连接的两个虚拟存储管； 多条位线，两条所述位线为一组； 其中，对所述组对存储单元的两个有效存储管中的一个进行数据写入和数据读取时另一个作为选择管；一列所述虚拟组对结构对应一列所述组对存储单元且设置在对应的一列所述组对存储单元的端部；一列所述组对存储单元对应连接一组所述位线，所述组对存储单元的一个有效存储管的漏极与对应的一组所述位线中的一条连接且另一个有效存储管的漏极与对应的一组所述位线中的另一条连接；一列所述虚拟组对结构连接同一列的所述组对存储单元对应的一组位线中的一条且与同一列的所述组对存储单元对应的一组位线中的另一条不连接；一列所述虚拟组对结构中，至少位于列两端的两个虚拟存储管的漏极与对应的一条所述位线连接，其余的虚拟存储管的漏极与相邻的虚拟存储管的漏极连接； 所述组对结构的单管闪存阵列包括多条有效字线和多条虚拟字线，一行所述组对存储单元内的有效存储管排成两行，一条所述有效字线连接一行所述有效存储管的栅极，一行所述虚拟组对结构内的虚拟存储管排成两行，一条所述虚拟字线连接一行所述虚拟存储管的栅极。

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