珠海格力电子元器件有限公司张士良获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120786939B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511295872.X，技术领域涉及：H10D62/832；该发明授权衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构是由张士良;羊肖玢;虞舒宁;钟泳生设计研发完成，并于2025-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构，该衬底结构包括：衬底本体；多个周期性排布的沟槽结构，多个沟槽结构位于衬底本体中，任意相邻的两个沟槽结构接触；多个填充层，填充层一一对应地位于沟槽结构中，填充层的表面与衬底本体的表面齐平。本申请解决了现有技术中碳化硅外延层生长过程中缺陷密度较高的问题。
本发明授权衬底结构、衬底结构的制备方法和半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种衬底结构，其特征在于，包括： 衬底本体； 多个周期性排布的沟槽结构，多个所述沟槽结构位于所述衬底本体中，任意相邻的两个所述沟槽结构接触； 多个填充层，所述填充层一一对应地位于所述沟槽结构中，所述填充层的表面与所述衬底本体的表面齐平，所述填充层的材料包括碳化硅，所述填充层的材料与所述衬底本体的材料晶格匹配，所述填充层为采用与外延层不同步工艺制作的、区别于缓冲层和所述外延层的独立的层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人珠海格力电子元器件有限公司，其通讯地址为：519085 广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层428室(集中办公区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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