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龙图腾网获悉青岛展诚科技有限公司申请的专利基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120659340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510780937.3，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法是由陈瑞;韦欣;周静;王虹;刘斌;袁鹏飞设计研发完成，并于2025-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及射频集成电路与先进半导体封装技术领域，尤其涉及基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法，包括衬底、复合介电层、温度传感器、信号处理模块及补偿模块。复合介电层由氮化硅与氧化铝交替堆叠构成，电极轮廓通过三维电磁场仿真生成弧形曲率半径与侧壁倾角参数，机器学习模型基于漏电流实测数据优化掩模设计与刻蚀工艺参数，降低边缘漏电流密度。各模块通过RDL工艺实现高密度互连，兼容现有封装流程，系统性解决射频电路中电容温度系数不可控导致的相位同步误差与高频信号失真问题。

本发明授权基于RDL工艺的射频集成电容结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.基于RDL工艺的射频集成电容结构，其特征在于，包括衬底、复合介电层、铂薄膜温度传感器、信号处理模块、电场优化模块、补偿模块以及电容单元： 复合介电层，设置于所述衬底表面，由交替堆叠的氮化硅层与氧化铝层构成，所述氮化硅层为非晶态结构，所述氧化铝层具有晶格取向调控界面； 铂薄膜温度传感器，集成于所述衬底上，用于检测电容单元的工作温度； 信号处理模块，包括微控制器单元,通过RDL金属互连与所述铂薄膜温度传感器电连接，接收温度信号并输出补偿电压信号； 电场优化模块，配置为通过三维电磁场仿真生成电极几何参数，所述电极几何参数包括弧形曲率半径和侧壁倾角； 补偿模块，接收所述补偿电压信号并施加于电容极板，所述补偿电压信号根据所述温度信号与预设的电容漂移映射关系动态调整，以抵消温度引起的电容偏移量； 电容单元，由所述复合介电层和所述RDL金属互连中的多层金属层和介质层堆叠构成； 所述电场优化模块生成的电极几何参数通过光刻掩模的灰度曝光控制电极弧形曲率半径，并通过反应离子刻蚀调控电极侧壁倾角； 所述信号处理模块接收所述铂薄膜温度传感器的实时温度数据，通过所述电容漂移映射关系计算补偿电压信号，并将所述补偿电压信号传输至补偿模块； 所述补偿模块根据补偿电压信号调整施加于电容极板的电压值，并反馈调整后的电容值至信号处理模块形成闭环控制。

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