清华大学伍晖获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学申请的专利电极制备方法、由其制得的电极、包括该电极的储能器件和电极生产系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120149332B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510015650.1，技术领域涉及：H01M4/139；该发明授权电极制备方法、由其制得的电极、包括该电极的储能器件和电极生产系统是由伍晖;张楹川;丁铁铮;雷翀设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本电极制备方法、由其制得的电极、包括该电极的储能器件和电极生产系统在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电极制备方法、通过其制得的电极、包括所述电极的储能器件和用于进行所述方法的电极生产系统。制备方法包括：a提供自支撑电极膜，其包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第二侧包括当与电解液接触以进行电沉积反应时在其上沉积金属的待沉积区域；b提供含待沉积金属的盐的电解液；c使所述自支撑电极膜的第二侧的至少所述待沉积区域与所述电解液接触，并且在所述待沉积区域中进行电沉积反应，从而在所述第二侧上沉积所述待沉积金属的集流体，其中电沉积温度为0至70℃。由本发明的方法制备的电极使得其中的活性物质具备优异的首次放电比容量、首次库伦效率和循环性能。
本发明授权电极制备方法、由其制得的电极、包括该电极的储能器件和电极生产系统在权利要求书中公布了：1.用于制备储能器件的电极的方法，包括： a提供自支撑电极膜，其包括第一侧和与所述第一侧相反的第二侧，所述第二侧包括当与电解液接触以进行电沉积反应时在其上沉积金属的待沉积区域，其中所述自支撑电极膜的表面粗糙度为0.02-0.50μm； b提供含待沉积金属的盐的电解液； c使所述自支撑电极膜的第二侧的至少所述待沉积区域与所述电解液接触，并且在所述待沉积区域中进行电沉积反应，从而在所述第二侧上沉积所述待沉积金属的集流体，其中电沉积温度为0至10℃； 其中步骤a还包括至少在所述自支撑电极膜的第一侧的第一区域的一部分或全部上设置辅助导电体，所述第一区域为与所述第二侧上的待沉积区域相反的对应区域，在电沉积时所述辅助导电体接触所述第一区域。
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