国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司刘敬伟获国家专利权
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龙图腾网获悉国科光芯金杏(北京)实验室科技有限公司申请的专利一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119987150B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510124227.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法是由刘敬伟;花晓强;李春龙;周良;李超;张彦乐;蔡丰任设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法，属于电光调制器技术领域，包括在衬底上形成波导芯，并沉积第一钝化层，第一钝化层覆盖衬底和波导芯；在波导芯的两侧分别形成金属槽，在金属槽内形成金属电极；沉积第二钝化层，第二钝化层覆盖金属电极和第一钝化层；在金属电极的上方进行开孔，形成孔结构；在第二钝化层上方与金属电极相对应的区域形成保护层，保护层通过孔结构将金属电极覆盖；将第二钝化层上方与波导芯对应的区域与芯片进行键合；键合后去除芯片中的硅衬底；去除保护层。本申请的方案，缩短了器件制备时间，降低了成本。
本发明授权一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法在权利要求书中公布了：1.一种基于C2W键合的芯片中硅衬底去除方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成波导芯，并沉积第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述衬底和所述波导芯； 在所述波导芯的两侧分别形成金属槽，在所述金属槽内形成金属电极； 沉积第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述金属电极和所述第一钝化层； 在所述金属电极的上方进行开孔，形成孔结构； 在所述第二钝化层上方与所述金属电极相对应的区域形成保护层，所述保护层通过所述孔结构将所述金属电极覆盖； 将所述第二钝化层上方与所述波导芯对应的区域与芯片进行键合，所述芯片远离键合区域的一侧设有硅衬底； 键合后去除所述芯片中的硅衬底； 去除所述保护层。
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