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龙图腾网获悉中国长安汽车集团有限公司重庆创新研究分公司;中国长安汽车集团有限公司上海驰驱智能控制技术分公司;中国长安汽车集团有限公司申请的专利IGBT和FRD功率半导体模块、电机控制器及汽车获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965204B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138582.8，技术领域涉及：H10D80/20；该发明授权IGBT和FRD功率半导体模块、电机控制器及汽车是由吴小川;曾少博;马敏辉;吴祥水;杨尧;史睿设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本IGBT和FRD功率半导体模块、电机控制器及汽车在说明书摘要公布了：本发明涉及一种IGBT和FRD功率半导体模块、电机控制器及汽车，包括基板、多个功率电极端子、多个信号端子、上桥芯片组、下桥芯片组、信号连接件、互联垫高层和互联基板；基板上设有信号铜层区域、芯片组区域、基板功率铜层区域；多个功率电极端子包括直流负极功率电极端子、直流正极功率电极端子及输出功率电极端子；各信号端子分别通过对应的信号连接件与上桥芯片组和下桥芯片组中的IGBT功率芯片上的驱动区域进行连接，以形成驱动路径；直流正极功率电极端子分别通过基板上的功率铜层、芯片组、互联垫高层及互联基板与直流负极功率电极端子相连接，以形成功率路径。本发明解决了电磁干扰大和动静态均流不一致的问题。

本发明授权IGBT和FRD功率半导体模块、电机控制器及汽车在权利要求书中公布了：1.一种IGBT和FRD功率半导体模块，其特征在于，包括： 基板6，其上从一侧到另一侧依次设有上桥芯片组区域、基板功率负极铜层6-e和下桥芯片组区域，所述上桥芯片组区域包括基板上桥栅极信号铜层6-a1、基板上桥发射极信号铜层6-b1及基板上桥集电极功率铜层6-c，下桥芯片组区域包括基板下桥栅极信号铜层6-a2、基板下桥发射极信号铜层6-b2及基板下桥集电极功率铜层6-d； 多个功率电极端子，包括分别与基板功率负极铜层6-e、基板上桥集电极功率铜层6-c及基板下桥集电极功率铜层6-d相连接的直流负极功率电极端子4、直流正极功率电极端子5及输出功率电极端子15； 多个信号端子，包括分别与基板上桥栅极信号铜层6-a1、基板上桥发射极信号铜层6-b1、基板下桥栅极信号铜层6-a2及基板下桥发射极信号铜层6-b2相连接的上桥臂栅极信号端子12、上桥臂发射极信号端子13、下桥臂栅极信号端子2及下桥臂发射极信号端子3； 上桥芯片组，包括分别设置在基板上桥集电极功率铜层6-c上的FRD功率芯片7和IGBT功率芯片9； 下桥芯片组，包括分别设置在基板下桥集电极功率铜层6-d上的FRD功率芯片7和IGBT功率芯片9； 信号连接件8，用于连接所述基板上桥栅极信号铜层6-a1、基板上桥发射极信号铜层6-b1、基板下桥栅极信号铜层6-a2以及基板下桥发射极信号铜层6-b2与对应的IGBT功率芯片9的驱动区域； 互联垫高层10，设置于所述上桥芯片组区域、下桥芯片组区域及基板功率负极铜层6-e上； 互联基板11，设置于所述互联垫高层10上； 其中，所述上桥臂栅极信号端子12、上桥臂发射极信号端子13、下桥臂栅极信号端子2及下桥臂发射极信号端子3分别通过对应的信号连接件8与上桥芯片组和下桥芯片组中的IGBT功率芯片9的驱动区域连接，以形成驱动路径；直流正极功率电极端子5分别通过基板6上的功率铜层、芯片组、互联垫高层10及互联基板11与直流负极功率电极端子4相连接，以形成功率路径；且所述驱动路径与功率路径在空间上无交叉重贴区域。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国长安汽车集团有限公司重庆创新研究分公司;中国长安汽车集团有限公司上海驰驱智能控制技术分公司;中国长安汽车集团有限公司，其通讯地址为：400025 重庆市江北区寸滩街道金渝大道153号6幢2单元6楼1-18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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