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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件及其制备方法、存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894000B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311402795.4，技术领域涉及：H10B43/27；该发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统是由张坤;高庭庭;周文犀;夏志良;霍宗亮设计研发完成，并于2023-10-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制备方法、存储系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。该半导体器件包括：第一半导体结构，包括第一存储阵列以及沿第一方向位于第一存储阵列一侧的第一源极结构；以及第二半导体结构，包括第二存储阵列以及沿第一方向位于第二存储阵列一侧的第二源极结构，第一源极结构和第二源极结构键合连接。该制备方法包括：形成包括第一存储阵列和第一源极结构的第一半导体结构，第一源极结构沿第一方向位于第一存储阵列的一侧；形成包括第二存储阵列和第二源极结构的第二半导体结构，第二源极结构沿第一方向位于第二存储阵列的一侧；以及将第一源极结构和第二源极结构进行键合。

本发明授权半导体器件及其制备方法、存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 第一半导体结构，包括第一存储阵列以及沿第一方向位于所述第一存储阵列一侧的第一源极结构，所述第一源极结构包括第一源极层以及位于所述第一源极层远离所述第一存储阵列一侧的第一键合层，所述第一键合层内设置有第一键合触点；以及 第二半导体结构，包括第二存储阵列以及沿所述第一方向位于所述第二存储阵列一侧的第二源极结构，所述第二源极结构包括第二源极层以及位于所述第二源极层远离所述第二存储阵列一侧的第二键合层，所述第二键合层内设置有第二键合触点，所述第一键合触点与所述第二键合触点接触，所述第一源极结构和所述第二源极结构键合连接； 其中，所述第一键合层包括第一导电阻挡层和第一绝缘层，所述第一导电阻挡层位于第一源极层和所述第一绝缘层之间，所述第一键合触点沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘层并延伸至所述第一导电阻挡层内；和或 所述第二键合层包括第二导电阻挡层和第二绝缘层，所述第二导电阻挡层位于第二源极层和所述第二绝缘层之间，所述第二键合触点沿所述第一方向贯穿所述第二绝缘层并延伸至所述第二导电阻挡层内。

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