广东工业大学郭伟明获国家专利权
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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种高导热的Zr3Si2陶瓷及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119841644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411971736.3，技术领域涉及：C04B35/58；该发明授权一种高导热的Zr3Si2陶瓷及其制备方法和应用是由郭伟明;罗凯;田宇;游洋;朱林林;林华泰设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高导热的Zr3Si2陶瓷及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于非氧化物基材料技术领域，公开了一种高导热的Zr33Si22陶瓷及其制备方法和应用。该方法将Zr粉、ZrSi22粉和溶剂经高能球磨混合和烘干，得到Zr‑ZrSi22混合粉体；将Zr‑ZrSi22混合粉体在真空状态下1600～1750℃烧结，在保温时通入氩气，压力为0.3～0.5MPa，制得高导热的Zr33Si22陶瓷。本发明通过放电等离子烧结可有效地提高晶界能，使得富Zr粉充分地渗透进ZrSi22的晶格中，可以简化Zr33Si22陶瓷的制备方法，提高Zr33Si22陶瓷的生产速率，该Zr33Si22陶瓷可应用在核能、汽车或电子等领域。
本发明授权一种高导热的Zr3Si2陶瓷及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高导热的Zr3Si2陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： S1.将Zr粉、ZrSi2粉和溶剂经高能球磨混合和烘干，得到Zr-ZrSi2混合粉体；所述Zr粉的纯度为99%以上，粒径为0.5~1μm；ZrSi2粉的纯度为99.9%以上，粒径为0.5~1μm；所述的Zr粉和ZrSi2粉的质量比为15~21:78~84，所述烘干的温度不高于60℃； S2.将Zr-ZrSi2混合粉体放入放电等离子烧结炉中，在真空状态下升温至500~650℃，再升温至1600~1750℃，在保温时通入氩气，保温过程中氩气的压力为0.3~0.5MPa，保温10~20min后，经降温至1400~1500℃保温10~15min，再降温至900~1000℃后随炉冷却后，制得高导热的Zr3Si2陶瓷。
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