傲迪特半导体(南京)有限公司茆宏获国家专利权
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龙图腾网获悉傲迪特半导体(南京)有限公司申请的专利一种半导体表面杂质处理装置及其方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119812052B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411937213.7,技术领域涉及:H10P72/00;该发明授权一种半导体表面杂质处理装置及其方法是由茆宏;宁江斌;郁言威;高兴;陆嘉黎;李民;王耽耽设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体表面杂质处理装置及其方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种半导体表面杂质处理装置及其方法,涉及半导体清洗领域,包括外壳体和支撑脚,所述外壳体内部的中端为干燥仓,所述干燥仓的左右两侧分别为干法清洗仓以及湿法清洗仓,所述干法清洗仓和湿法清洗仓均为两端带有中空半球形的筒体结构,所述外壳体内部位于干燥仓的位置处设有放置架;本发明通过设置干法清洗仓、湿法清洗仓以及干燥仓,在对不同类型的半导体晶圆进行清洗时,可以根据需要选择进行干法清洗或者湿法清洗,同时干燥仓的设置能够对清洗后的半导体晶圆进行干燥,进一步增加本装置的功能性。
本发明授权一种半导体表面杂质处理装置及其方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体表面杂质处理装置,包括外壳体1和支撑脚2,其特征在于:所述外壳体1内部的中端为干燥仓3,所述干燥仓3的左右两侧分别为干法清洗仓4以及湿法清洗仓5,所述干法清洗仓4和湿法清洗仓5均为两端带有中空半球形的筒体结构,所述外壳体1内部位于干燥仓3的位置处设有放置架6,所述外壳体1内部的底部内壁上设有推动放置架6移动至干法清洗仓4或湿法清洗仓5的第一推送机构,所述外壳体1内部位于干燥仓3后侧的内壁上设有推动放置架6前移的第二推送机构,所述外壳体1外部位于干燥仓3前侧的外壁上设有仓盖7,所述干法清洗仓4和湿法清洗仓5靠近干燥仓3的一侧均设有密封组件,所述外壳体1的外壁上还设有配合干法清洗仓4以及湿法清洗仓5进行清洗的供给组件; 所述密封组件包括弧形密封块8、弧形槽9、转盘10、电机11、弧形开槽12和连接杆13,所述外壳体1上位于干法清洗仓4和湿法清洗仓5外侧的位置处设有弧形槽9,所述弧形槽9内设有弧形密封块8,所述弧形密封块8的端部固定有转盘10,所述外壳体1后侧的半球形结构内固定有电机11,所述电机11的输出端与转盘10固定连接,所述转盘10上设有弧形开槽12,位于所述弧形槽9以及转盘10内侧的壳体结构通过连接杆13配合弧形开槽12与转盘10后侧的半球形壳体结构的内壁固定连接。
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