武汉大学张玉峰获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510009890.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法及应用是由张玉峰;张蘩予;朱闰琳设计研发完成，并于2025-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法及应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法及应用，属于材料改性技术领域。本发明以银单质和羟基磷灰石晶体为溅射源，在惰性气体氛围下，通过磁控溅射技术于PVDF骨电活性方形薄膜表面制备羟基磷灰石与银复合镀层，得到羟基磷灰石与银复合镀层改性的促抗菌薄膜。所述羟基磷灰石与银复合镀层改性的促抗菌薄膜具备优越的生物相容性、抗菌性能和诱导成骨活性，有效解决了现有技术中PVDF骨电活性薄膜在骨整合较差、骨愈合速度及有效性方面不足的问题；所述羟基磷灰石与银复合镀层改性的促抗菌薄膜适用于组织工程和骨缺损修复等方面，拓展了PVDF骨电活性薄膜在口腔及其他部位的应用场景。
本发明授权一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将PVDF骨电活性薄膜裁成合适大小的方形薄膜，将方形薄膜清洗、干燥后于真空保存备用； S2、于载玻片上粘附导电胶，将步骤S1中处理后的方形薄膜粘在导电胶上，将载玻片倒置放入磁控溅射腔室； S3、以银单质和羟基磷灰石晶体为溅射源，在惰性气体氛围下，将银、羟基磷灰石溅射沉积在方形薄膜上，得到羟基磷灰石与银复合镀层改性促抗菌薄膜；所述溅射的功率为50-100W，所述溅射时间为10-20min。
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