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龙图腾网获悉西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学申请的专利一种蛾眼减反SiC/Ga2O3异质结紫外探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789554B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411969922.3，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权一种蛾眼减反SiC/Ga2O3异质结紫外探测器及其制备方法是由周瑜;迟奔奔;杜丰羽;韩超设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蛾眼减反SiC/Ga2O3异质结紫外探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种蛾眼减反SiCGa22O33异质结紫外探测器及其制备方法，该紫外探测器包括：P+型SiC衬底、P+型SiC外延层、n‑型Ga22O33功能层、n+型Ga22O33功能层、SiyyNxx钝化保护层、阳极电极、阴极电极和背反射层；该制备方法包括：在P+型SiC衬底上外延生长三维蛾眼结构的P+型SiC外延层，在P+型SiC外延层上依次外延生长n‑型Ga22O33功能层和n+型Ga22O33功能层，在三维蛾眼结构衔接处生长SiyyNxx钝化保护层，在n+型Ga22O33功能层表面形成阳极电极，在P+型SiC衬底的背面形成阴极电极，在阴极电极的背面形成背反射层。本发明的紫外探测器实现了氧化镓和碳化硅的材料劣势互补，拓宽了器件的相应波长范围与性能，提高了器件的光学利用率。

本发明授权一种蛾眼减反SiC/Ga2O3异质结紫外探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蛾眼减反SiCGa2O3异质结紫外探测器，其特征在于，包括： P+型SiC衬底； P+型SiC外延层，所述P+型SiC外延层为半球形，且所述P+型SiC外延层间隔分布于所述P+型SiC衬底上； n-型Ga2O3功能层，所述n-型Ga2O3功能层设置于所述P+型SiC外延层上； n+型Ga2O3功能层，所述n+型Ga2O3功能层设置于所述n-型Ga2O3功能层上，所述P+型SiC外延层、所述n-型Ga2O3功能层和所述n+型Ga2O3功能层形成蛾眼结构； SiyNx钝化保护层，所述SiyNx钝化保护层设置于所述P+型SiC衬底上，且位于相邻的两个所述n+型Ga2O3功能层之间； 阳极电极，所述阳极电极设置于所述n+型Ga2O3功能层上； 阴极电极，所述阴极电极设置于所述P+型SiC衬底的背面； 背反射层，所述背反射层设置于所述阴极电极的背面。

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