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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119780472B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411938717.0，技术领域涉及：G01P15/03；该发明授权一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计及其制备方法是由朱刚毅;郭建勋;陈奕彤;颜新悦;秦飞飞;王子轩;蔡志匡设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计，加速度计以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层、氮化铝层、u型氮化镓层、n型氮化镓层、量子阱层、p型氮化镓层、SiO22层，设置在所述p型氮化镓层上的p型电极、设置在所述n型氮化镓层边缘的n型电极。本发明在硅衬底上的氮化物材料，利用光刻和ICP刻蚀工艺在一根梁的两个区域制备两个LD。由于应力的不同，两个LD的峰值中心会有频差。通电情况下，加速度负载频差会发生变化，由于频差的变化，可以更加稳定，精确的感知加速度的大小。

本发明授权一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计的制备方法，其特征在于，其中基于量子限制斯塔克效应外差式光机电微腔加速度计以硅基氮化物外延片为载体，包括从下至上依次设置的硅衬底层1、氮化铝层2、u型氮化镓层3、n型氮化镓层4、量子阱层5、p型氮化镓层6、SiO2层7，设置在所述p型氮化镓层6上的p型电极8、设置在所述n型氮化镓层4边缘的n型电极9，所述硅衬底层1的四周全部刻蚀掉，保留中间一根梁11及梁11下面的部分；通电后梁11的两个应力敏感区10会发出激光LD；此加速度计是一个长方形腔体，中间由一根梁11连接着，梁11的两边两个方块会被掏空；中间的梁和一个方形电极构成p型电极8，同时中间梁上除了梁的二分之一处和约四分之一处的两个方块上都镀一层SiO2层7，p型电极8是沉积在中间梁上的SiO2层7上表面；n型电极9沉积在另一边n型氮化镓层4上为方形电极；具体方法包括以下步骤： 第一步：在硅基氮化镓外延片的p型氮化镓上表面旋涂光刻胶，然后采用光学光刻技术在旋涂的光刻胶层上定义两个方形盘由一根梁连接的图形； 第二步：采用电子束蒸镀技术在定义的图形上表面蒸镀300-500nm厚度的金属镍，然后将晶片放入丙酮溶液进行超声处理，之后将晶片放入超纯水中清洗，然后依次放入无水乙醇、超纯水中清洗，最后去除残留的光刻胶；得到镍的一个掩膜图形； 第三步：采用ICP刻蚀技术向下刻蚀2μm-2.5μm到n型氮化镓层4，从而将所述第一步中定义出的图形转移至硅基氮化物晶片的n型氮化镓层4中，得到加速度计的一根梁的结构； 第四步：稀硝酸去除金属镍，然后立即放入超纯水中清洗干净； 第五步：在加速度计中间一根梁上蒸镀SiO2层，但梁的中间和梁的四分之一处的两个小方块不蒸镀SiO2层； 第六步：在加速度计一根梁及外围方形表面旋涂光刻胶，确保刻蚀过程中，梁结构及外围不会被刻蚀掉，起保护作用； 第七步：采用电子束蒸镀技术在定义的图形上表面蒸镀300-500nm厚度的金属镍，然后将外延片放入丙酮溶液进行超声清洗，然后依次放入无水乙醇、超纯水中清洗，最后去除残留的光刻胶，得到镍的一个掩膜图形； 第八步：采用ICP刻蚀技术，将图形向下刻蚀直至掏空中间，最后去清洗残留的光刻胶； 第九步：采用电子束蒸镀技术在p型电极图形上表面上蒸镀正电极，在n型电极图形上表面上蒸镀负电极，使得p型氮化镓层6和n型氮化镓层4上分别镀上正、负电极，最后去除残留的光刻胶，获得p型电极8和n型电极9； 第十步：采用氢氟酸与稀硝酸的混合液湿法刻硅，直至硅衬底层1底部，使硅衬底层1中形成支撑此结构的硅柱和底面，构成悬空梁结构。

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