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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利TEM样品的制样方法及氮化镓单晶中单根位错的检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119779788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411920781.6，技术领域涉及：G01N1/28；该发明授权TEM样品的制样方法及氮化镓单晶中单根位错的检测方法是由李梦亚;刘宗亮设计研发完成，并于2024-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本TEM样品的制样方法及氮化镓单晶中单根位错的检测方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种TEM样品的制样方法及氮化镓单晶中单根位错的检测方法，该制样方法包括如下步骤：对包含氮化镓单晶的衬底样品表面进行SEM‑CL扫描，获取第一SEM图像及其对应的阴极荧光图像；基于阴极荧光图像从第一SEM图像中标记出目标单根位错；在第一SEM图像中标记出目标单根位错所在的第一目标区域；对衬底样品表面的第一目标区域进行SEM扫描，获取围绕目标单根位错产生积碳的第二SEM图像；利用FIB‑SEM对第二SEM图像进行扫描，标记出积碳所在的第二目标区域；对产生积碳后的衬底样品表面的第二目标区域进行刻蚀，制备得到TEM样品。本发明可以从包含氮化镓单晶的衬底样品精确地定位出单根位错，并以此制备出包括单根位错的TEM样品，进而确定出单根位错的位错类型。

本发明授权TEM样品的制样方法及氮化镓单晶中单根位错的检测方法在权利要求书中公布了：1.一种TEM样品的制样方法，其特征在于，包括如下步骤： 对包含氮化镓单晶的衬底样品表面进行SEM-CL扫描，获取第一SEM图像及其对应的阴极荧光图像； 基于所述阴极荧光图像从所述第一SEM图像中标记出目标单根位错，包括：基于预设的衬度阈值从所述阴极荧光图像确定出全部位错；从所述阴极荧光图像中的全部位错中选取出单根位错；获取所述第一SEM图像与所述阴极荧光图像的配准关系；基于所述配准关系，从所述第一SEM图像中标记出所述单根位错所对应的目标单根位错； 在所述第一SEM图像中标记出所述目标单根位错所在的第一目标区域； 对所述衬底样品表面的第一目标区域进行SEM扫描，获取围绕所述目标单根位错产生积碳的第二SEM图像； 利用FIB-SEM对所述第二SEM图像进行扫描，标记出所述积碳所在的第二目标区域； 对产生积碳后的衬底样品表面的第二目标区域进行刻蚀，制备得到TEM样品。

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