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龙图腾网获悉电子科技大学重庆微电子产业技术研究院;华润微电子(重庆)有限公司申请的专利一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119730271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411931581.0，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法是由李泽宏;李陆坪;饶乾生;李明;陈鹏;王亚豪;陈财;王璇;张万里设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及功率半导体技术，具体涉及一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法，包括正面阴极栅控MOS结构，由导电区、绝缘层、导电层、第一类型掺杂导电区域、第二类型重掺杂导电区、第一类型重掺杂导电区组成；中间区域漂移区结构，由掺杂导电区、第一类型导电区、第二类型导电区、单一杂质漂移区组成；背面阳极场截止结构，由第二类型导电层、第一类型导电层、背面导电层组成；本发明通过在传统槽栅场截止半超结IGBT的基础上引入载流子存储结构，增强了传统半超结IGBT的电导调制水平，优化了器件的折中关系。

本发明授权一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种载流子存储型槽栅场截止半超结IGBT器件，其特征在于，整个元胞关于元胞中线对称，其元胞包括导电区1，位于导电区1底面的两个绝缘层2；每一个绝缘层2内部包裹有一个导电层3，且每一个绝缘层2底面设有一个第一类型掺杂导电区域4；两个绝缘层2中间也设有一个第一类型掺杂导电区域4，在该第一类型掺杂导电区域4正面有两个第二类型重掺杂导电区5和一个第一类型重掺杂导电区6；第一类型重掺杂导电区6位于两个第二类型重掺杂导电区5中间，并与导电区1相接；两个第二类型重掺杂导电区5均与导电区1、绝缘层2相接；导电区1、绝缘层2、导电层3、第一类型掺杂导电区域4、第二类型重掺杂导电区5、第一类型重掺杂导电区6共同组成正面阴极栅控MOS结构； 还包括位于导电层3底面和第一类型掺杂导电区域4底面的掺杂导电区7；位于掺杂导电区7底面的第一类型导电区8和第二类型导电区9，第一类型导电区8和第二类型导电区9交替排列；位于第一类型导电区8底面和第二类型导电区9底面的单一杂质漂移区10；掺杂导电区7、第一类型导电区8、第二类型导电区9、单一杂质漂移区10共同组成中间区域漂移区结构； 还包括位于单一杂质漂移区10底面的第二类型导电层11，位于第二类型导电层11底面的第一类型导电层12，位于第一类型导电层12底面的背面导电层13；第二类型导电层11、第一类型导电层12、背面导电层13共同组成背面阳极场截止结构。

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