智子擎动(杭州)科技有限公司沈承恬获国家专利权
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龙图腾网获悉智子擎动(杭州)科技有限公司申请的专利一种高共轭度嵌段聚合物、阴离子交换膜及其制备和电化学应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119490633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510081745.3，技术领域涉及：C08G10/00；该发明授权一种高共轭度嵌段聚合物、阴离子交换膜及其制备和电化学应用是由沈承恬;蒋明兴;倪志凌;李魁;唐健鸿设计研发完成，并于2025-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高共轭度嵌段聚合物、阴离子交换膜及其制备和电化学应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种高共轭度嵌段聚合物、阴离子交换膜及其制备和电化学应用，所述高共轭度嵌段聚合物包含如下式I所示的结构单元，本发明还公开了所述高共轭度嵌段聚合物的制备方法以及通过该高共轭度嵌段聚合物制备得到的阴离子交换膜及其在电解水、制备燃料电池、制备超级电容器等电化学中的应用。本发明使用高共轭度、平面的骨架基团在非极性的相中加强高分子主链上的pi‑pi作用力，制备得到一种高共轭度嵌段聚合物，由此制备得到的阴离子交换膜拥有更强的机械强度，克服了现有技术中通常认为机械强度与离子导电率无法兼顾的技术偏见。I。
本发明授权一种高共轭度嵌段聚合物、阴离子交换膜及其制备和电化学应用在权利要求书中公布了：1.一种高共轭度嵌段聚合物，其特征在于，包含如下式I所示的结构单元： ； I 其中n,m为重复单元的数量；n为1-2000的整数；m为1-2000的整数； Ar1为以下结构片段：； Ar2选自以下结构片段之一： ； 其中x1、x2的取值为0-10； LK1和LK2为连接基团，分别独立选自或； 为离子基团，其中选自以下结构片段之一： ； 选自以下结构片段之一： ； R1为离子基团或非离子基团；当R1为离子基团时，其定义与相同；当R1为非离子基团时，选自以下结构片段之一： ； EWG为以下结构片段： 。
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