西安交通大学王文慧获国家专利权
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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119439331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411520532.8，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构及方法是由王文慧;颜鹏设计研发完成，并于2024-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构及方法在说明书摘要公布了：本发明属于表面等离激元的激发及传输应用的技术领域，涉及一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构及方法。衬底上设有至少一对相互平行的银纳米线，银纳米线的直径为400～800nm，银纳米线的长度为10～20μm，银纳米线对的平行间距或间隙为5～50nm；方法包括以下步骤：步骤1、制备大尺寸银纳米线；步骤2、利用微操控的方法对步骤1中制备的衬底上的单根银纳米线进行精确移动，构建平行银纳米线结构；步骤3、使用光纤耦合法激发平行银纳米线产生SPPs并测量其传输损耗。本发明利用平行银纳米线结构中两个平行的单根银纳米线之间的模式耦合对电场分布产生的影响，抑制了能量向衬底的辐射泄露，显著降低了SPPs的传输损耗。
本发明授权一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种基于平行银纳米线降低传输损耗的结构，其特征在于，所述结构为衬底上设有至少一对相互平行的银纳米线，所述银纳米线的直径为400～800nm，所述银纳米线的长度为10～20μm，所述银纳米线对的平行间距或间隙为5～50nm； 所述银纳米线的表面光滑； 所述银纳米线对的两根银纳米线的长度尺寸、直径尺寸分别接近； 所述衬底包括：SiO2Si衬底、普通硅衬底或玻璃衬底。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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