浙江创芯集成电路有限公司张一鸣获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411449918.4，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张一鸣;陶然设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的第一外延层；在所述第一外延层内形成具有第一掺杂类型的注入区，所述注入区的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；在所述第一外延层上形成具有第一掺杂类型的第二外延层；在所述第二外延层内形成具有第二掺杂类型的基区；在所述基区内形成具有第一掺杂类型的发射区；在远离所述基区的所述第二外延层内形成具有第一掺杂类型的集电极，所述集电极的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，所述注入区在水平方向上位于所述基区和所述集电极之间。本发明实施例提供的形成方法，有利于实现最终形成的半导体结构的高增益和高性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成具有第一掺杂类型的第一外延层； 在所述第一外延层内形成具有第一掺杂类型的注入区，所述注入区的掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度； 在所述第一外延层上形成具有第一掺杂类型的第二外延层； 在所述第二外延层内形成具有第二掺杂类型的基区； 在所述基区内形成具有第一掺杂类型的发射区； 在远离所述基区的所述第二外延层内形成具有第一掺杂类型的集电极，所述集电极的掺杂浓度大于所述第二外延层的掺杂浓度，所述注入区在水平方向上位于所述基区和所述集电极之间，在垂直所述衬底的方向上，所述注入区的端部和所述基区以及所述集电极有部分重叠。
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