中国科学院微电子研究所阳鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119200262B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310757839.9，技术领域涉及：G02F1/03；该发明授权一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法是由阳鹏;何慧敏;孙思维;薛海韵;刘丰满设计研发完成，并于2023-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法；利用Z‑cut薄膜铌酸锂芯片平面各向同性和竖直方向调制电场，克服了现有技术波导弯曲前后晶轴反转的缺陷，实现了灵活紧凑的布局，同时利用垂直电极结构在波导弯曲与结构改变时也能调制的特点，可以在不增加器件尺寸的情况下，增加调制区域长度，提高调制效率，改善了现有调制器中相位失真、振幅衰减等缺陷，具有更高速率和更宽带宽。
本发明授权一种电光调制芯片、电光调制器及其成型方法在权利要求书中公布了：1.一种电光调制芯片，其特征在于，包括： 衬底层； 背电极，形成于所述衬底层的顶部； 底部介质层，形成于背电极的顶部； 底部调制层，形成于底部介质层的顶部，所述底部调制层为Z-cut薄膜铌酸锂； 顶部波导层：形成于底部调制层顶部；所述顶部波导层为氮化硅，且所述顶部波导层设有首尾连接的多个波导单元，输入光信号在波导单元与底部调制层形成的波导区域传播；波导单元与下方底部调制层构成首尾相连的连续的且折叠的调制区域，所述折叠的调制区域通过波导单元的多次反射和折射实现光信号的多次调制； 顶部介质层，形成于底部调制层的自由区域及波导单元的顶部和侧面，所述顶部介质层为SU8光刻胶； 顶电极，形成于顶部介质层的顶部； 所述背电极和所述顶部电极水平设置，提供竖直方向调制电场； 所述电光调制芯片还包括在背电极裸露区域形成的外接电极，所述外接电极与背电极相连，用于为电光调制芯片供电。
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