福建省晋华集成电路有限公司郭艺伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119181673B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411328360.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制作方法是由郭艺伟;蔡建成;孔果果设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的制作方法在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体结构的制作方法，包括：提供衬底，在衬底上形成第一电极；在第一电极上形成栅极，栅极的顶面被隔离层覆盖；形成贯穿隔离层、栅极的沟道孔，沟道孔暴露出第一电极的部分顶面；形成栅介质层，栅介质层覆盖沟道孔的侧壁；形成沟道层，沟道层覆盖栅介质层以及沟道孔暴露出的第一电极的顶面；向沟道孔中填充导热材料形成导热层；对沟道层和导热层共同进行热退火处理后，去除导热层；在沟道孔中形成绝缘层，绝缘层覆盖沟道层的部分内侧壁；在绝缘层上形成第二电极，第二电极与沟道层的顶部接触连接。降低沟道层的电阻，提高了沟道层的导电性，有利于提高半导体结构的电性能。
本发明授权半导体结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，在所述衬底上形成第一电极； 在所述第一电极上形成栅极，所述栅极的顶面被隔离层覆盖； 形成贯穿所述隔离层、所述栅极的沟道孔，所述沟道孔暴露出所述第一电极的部分顶面； 形成栅介质层，所述栅介质层覆盖所述沟道孔的侧壁； 形成沟道层，所述沟道层覆盖所述栅介质层以及所述沟道孔暴露出的所述第一电极的顶面； 向所述沟道孔中填充导热材料形成导热层；所述导热层包括依次形成的氮化钛层和金属层，所述氮化钛层设于所述金属层与所述沟道层之间； 对所述沟道层和所述导热层共同进行热退火处理后，去除所述导热层； 在所述沟道孔中形成绝缘层，所述绝缘层覆盖所述沟道层的部分内侧壁； 在所述绝缘层上形成第二电极，所述第二电极与所述沟道层的顶部接触连接。
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