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龙图腾网获悉远山新材料科技有限公司申请的专利双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092541B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411209760.3，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法是由苏军;高天设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开双沟道多栅高耐压GaNHEMT器件及制造方法，其中器件包括衬底层以及在衬底层上依次生长的GaN高阻层、GaNchannel层和第一AlGaN势垒层，第一AlGaN势垒层于靠近中部处依次生长有第一不掺杂GaN层、第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层，并于两侧对称制作有源极和漏极，第一不掺杂GaN层和第二AlGaN势垒层分别与源极和漏极连接，第二不掺杂GaN层分别与源极和漏极保持有间隙；第二不掺杂GaN层的表面依次生长有第一pGaN层和第一栅极；第一不掺杂GaN层的表面于另一侧依次生长有二次外延不掺杂GaN层、二次外延pGaN层和第二栅极，二次外延不掺杂GaN层和二次外延pGaN层均与第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层保持有间隙，从而可以通过第一栅极和第二栅极将上层和下层的2DHG引出，实现器件高耐压。

本发明授权双沟道多栅高耐压GaN HEMT器件及制造方法在权利要求书中公布了：1.双沟道多栅高耐压GaNHEMT器件，其特征在于，包括衬底层以及在所述衬底层上依次生长的GaN高阻层、GaNchannel层和第一AlGaN势垒层，其中所述第一AlGaN势垒层的表面于靠近中部处依次生长有第一不掺杂GaN层、第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层，并于所述第一不掺杂GaN层的两侧对称制作有源极和漏极，其中所述第一不掺杂GaN层和所述第二AlGaN势垒层于两端分别与所述源极和所述漏极连接，所述第二不掺杂GaN层的两端分别与所述源极和所述漏极保持有间隙； 所述第二不掺杂GaN层的表面依次生长有第一pGaN层和第一栅极，通过所述第一栅极将上层2DHG引出，其中所述第二不掺杂GaN层和所述第二AlGaN势垒层之间产生的2DHG为上层2DHG； 所述第一不掺杂GaN层的表面于所述第一pGaN层和所述源极之间依次生长有二次外延不掺杂GaN层、二次外延pGaN层和第二栅极，所述二次外延pGaN层和所述第二栅极分别与所述第一pGaN层和所述第一栅极保持相同的高度，所述二次外延不掺杂GaN层和所述二次外延pGaN层均与所述第二AlGaN势垒层和第二不掺杂GaN层保持有间隙，通过所述第二栅极将下层2DHG引出，其中所述第一不掺杂GaN层和所述第一AlGaN势垒层之间产生的2DHG为下层2DHG。

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