上海大学任开琳获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海大学申请的专利全包围栅极场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008699B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411091088.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权全包围栅极场效应晶体管及其制备方法是由任开琳;马亮;张建华;程小宇;胡扬阳设计研发完成，并于2024-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本全包围栅极场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种全包围栅极场效应晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，延展结构包括源极延展结构和或漏极延展结构，源极、栅极结构、漏极、源极延展结构和漏极延展结构均设置于衬底的同一侧，栅极结构设置于源极与漏极之间，源极延展结构设置于源极与栅极结构之间，漏极延展结构设置于漏极与栅极结构之间，源极和漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，源极延展结构和漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，源极和源极延展结构的离子掺杂浓度不同，漏极和漏极延展结构的离子掺杂浓度不同。本发明能够优化晶体管性能，提高电路设计的灵活度。
本发明授权全包围栅极场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种全包围栅极场效应晶体管，其特征在于：包括衬底、源极、栅极结构、漏极和延展结构，所述延展结构包括源极延展结构和或漏极延展结构，所述源极、所述栅极结构、所述漏极、所述源极延展结构和所述漏极延展结构均设置于所述衬底的同一侧，所述栅极结构设置于所述源极与所述漏极之间，所述源极延展结构设置于所述源极与所述栅极结构之间，所述漏极延展结构设置于所述漏极与所述栅极结构之间，所述源极和所述漏极分别为进行离子掺杂的源极和进行离子掺杂的漏极，所述源极延展结构和所述漏极延展结构均为进行P型离子掺杂的延展结构，所述源极和所述源极延展结构的离子掺杂浓度不同，所述漏极和所述漏极延展结构的离子掺杂浓度不同；所述源极延展结构的P型离子掺杂浓度高于所述源极的离子掺杂浓度，所述漏极延展结构的P型离子掺杂浓度高于所述漏极的离子掺杂浓度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海大学，其通讯地址为：200444 上海市宝山区上大路99号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励