中国计量科学研究院李旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国计量科学研究院申请的专利一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118913470B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410969622.9，技术领域涉及：G01K7/22；该发明授权一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用是由李旭;孙建平;王志刚;田东辉;李嘉豪;高慧芳;程芳;张毅;陶兴付;李硕;金森林;李适设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用，属于检测领域，热敏电阻温度传感器包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，其具有尖晶石结构。本发明通过引入Cu元素、在单晶硅基底进行13厚度预切割、采用两次磁控溅射工艺，优化了热敏薄膜的脆性和塑性，降低了热敏薄膜的面内残余应力，制备出了厚度超过7μm的Mn‑Co‑Ni‑Cu‑O热敏薄膜，且热敏薄膜表面完好且与二氧化硅层结合良好，未发生开裂和脱落；其电阻小于500Ω，无需进行退火热处理；本发明的技术路线简单高效，生产效率和良品率非常高。
本发明授权一种负温度系数热敏电阻温度传感器及其制造方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种负温度系数热敏电阻温度传感器，特征在于，包括单晶硅基底块和生长在单晶硅基底块的二氧化硅层上的负温度系数热敏薄膜，所述负温度系数热敏薄膜为MnCoNiCu-O热敏薄膜，其具有尖晶石结构； 所述负温度系数热敏薄膜中，Mn、Co、Ni、Cu、O的质量比为28~32∶28~32∶14~16∶0.1~2.5∶20~28； 所述负温度系数热敏薄膜的厚度≥7μm； 所述负温度系数热敏薄膜的电阻小于700Ω； 所述负温度系数热敏薄膜采用MnCoNiCu-O合金靶材通过物理沉积镀膜方法多次沉积而成；物理沉积镀膜方法包括磁控溅射法、激光分子束外延法或电子束蒸发法；沉积次数至少两次； 尖晶石结构单位晶胞的结构为AB2O4，其中A离子占据由四个氧原子构成的氧四面体空隙，B离子占据由六个氧原子构成的氧八面体空隙。
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