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龙图腾网获悉材料科学姑苏实验室申请的专利一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118900621B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410999406.9，技术领域涉及：H10N60/01；该发明授权一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片是由崔志远;于文龙;杨丽娜;蔡晓;王雨设计研发完成，并于2024-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片，封装方法包括提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底一侧表面依次制备第一超导金属图案和约瑟夫森结，形成超导量子芯片；其中，第一超导金属图案包括第一传输线路、第一焊盘、第一电极和第二电极；约瑟夫森结位于第一电极和第二电极之间，且与第一电极和第二电极电连接，以形成量子比特；在第二衬底一侧表面制备第二超导金属图案，形成封装衬底；采用倒装焊工艺将第一焊盘和第二焊盘对准焊接，以利用封装衬底对超导量子芯片进行封装。利用上述方法，通过超导封装衬底实现对超导量子芯片的封装，降低了能量耗散，提高了超导量子芯片的性能和导热性，易集成且成本低。

本发明授权一种超导量子芯片的封装方法及封装超导量子芯片在权利要求书中公布了：1.一种超导量子芯片的封装方法，其特征在于，包括： 提供第一衬底和第二衬底； 在所述第一衬底一侧表面依次制备第一超导金属图案和约瑟夫森结，形成超导量子芯片；其中，所述第一超导金属图案包括第一传输线路、第一焊盘、第一电极和第二电极；所述约瑟夫森结位于所述第一电极和所述第二电极之间，且与第一电极和所述第二电极电连接，以形成量子比特；所述第一传输线路包括读取腔、读取线和控制线，所述读取腔和所述控制线的第一端均与所述量子比特耦合连接，所述读取腔的第二端与所述读取线的第一端耦合连接，所述读取线的第二端和所述控制线的第二端均与所述第一焊盘电连接，且所述第一焊盘位于所述第一衬底外围区域； 在所述第二衬底一侧表面制备第二超导金属图案，形成封装衬底；其中，所述第二超导金属图案包括第二传输线路、第二焊盘和第三焊盘；所述第二焊盘与所述第一焊盘一一对应，所述第二焊盘通过所述第二传输线路与所述第三焊盘电连接，且所述第三焊盘位于所述第二衬底外围区域； 采用倒装焊工艺将所述第一焊盘和所述第二焊盘对准焊接，以利用所述封装衬底对所述超导量子芯片进行封装； 在所述第一衬底一侧表面依次制备第一超导金属图案和约瑟夫森结，形成超导量子芯片，包括： 在所述第一衬底一侧表面依次形成第一超导金属层和第一光刻胶层； 对所述第一光刻胶层进行图案化，暴露出部分所述第一超导金属层； 去除所述第一光刻胶层和暴露出的部分所述第一超导金属层，形成所述第一超导金属图案； 在所述第一超导金属图案远离所述第一衬底一侧表面制备第三超导金属图案；所述第三超导金属图案部分覆盖所述第一电极； 在所述第三超导金属图案远离所述第一衬底一侧表面制备氧化层； 在所述氧化层远离所述第一衬底一侧表面制备第四超导金属图案；所述第四超导金属图案覆盖部分所述第二电极，所述第四超导金属图案和所述第三超导金属图案存在交叠区域，且所述交叠区域形成所述约瑟夫森结。

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