北京北方华创微电子装备有限公司耿宏伟获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利氮化铝薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118854236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310484251.0，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权氮化铝薄膜的制备方法是由耿宏伟;杨帆;李庆明;白锡春设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化铝薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氮化铝薄膜的制备方法。采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，物理气相沉积设备包括工艺腔室，工艺腔室中设置有基座和位于基座上方的靶材，靶材与激励电源电连接，围绕工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；制备方法包括：开启边磁体组件，在工艺腔室内形成磁场；按照预设流量比值向工艺腔室内通入第一气体和第二气体的混合气体；开启激励电源，激发混合气体形成等离子体，以通过磁场调节等离子体中的离子分布，以使在待沉积件表面沉积的氮化铝薄膜中存在自由电子。本发明可以在待沉积件上沉积能够导电的氮化铝薄膜。
本发明授权氮化铝薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化铝薄膜的制备方法，其特征在于，采用物理气相沉积设备制备氮化铝薄膜，所述物理气相沉积设备包括工艺腔室，所述工艺腔室中设置有基座和位于所述基座上方的靶材，所述靶材与激励电源电连接，围绕所述工艺腔室的侧壁外侧设置有边磁体组件；所述制备方法包括： 开启所述边磁体组件，在所述工艺腔室内形成磁场； 按照预设流量比值大于1的氩气和氮气向所述工艺腔室内通入氩气和氮气的混合气体； 开启所述激励电源，激发所述混合气体形成等离子体，以通过所述磁场调节所述等离子体中的离子分布，以使在待沉积件表面沉积的所述氮化铝薄膜中存在自由电子。
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