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龙图腾网获悉上海显耀显示科技有限公司申请的专利微型LED结构和微型显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118661274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280090589.1，技术领域涉及：H10H20/816；该发明授权微型LED结构和微型显示面板是由祝元坤;方安乐;刘德帅设计研发完成，并于2022-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本微型LED结构和微型显示面板在说明书摘要公布了：一种微型发光二极管LED结构包括台面结构。所述台面结构进一步包括具有第一导电类型的第一半导体层、形成在所述第一半导体层上的发光层、形成在所述发光层上的第二半导体层、形成在所述台面结构的侧壁上的侧壁保护层、和形成在所述侧壁保护层的表面上的侧壁反射层，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型。所述第一半导体层进一步包括第一类型半导体区和围绕所述第一类型半导体区形成的离子注入区，所述离子注入区的电阻比所述半导体区的电阻高。

本发明授权微型LED结构和微型显示面板在权利要求书中公布了：1.一种微型发光二极管LED结构，其包括： 台面结构，其包括： 具有第一导电类型的第一半导体层； 形成在所述第一半导体层上的发光层； 形成在所述发光层上的第二半导体层，所述第二半导体层具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型； 形成在所述台面结构的侧壁上的侧壁保护层；以及， 形成在所述侧壁保护层的表面上的侧壁反射层； 形成在所述第二半导体层的顶表面上的顶部触头，所述顶部触头具有所述第二导电类型； 其中，所述第二半导体层的顶表面区域大于以下中的每一个：所述第一半导体层的底表面区域、所述第一半导体层的顶表面区域、和所述第二半导体层的底表面区域；并且 其中，所述第一半导体层包括： 半导体区；以及 围绕所述半导体区形成的离子注入区，所述离子注入区的电阻比所述半导体区的电阻高 其中所述半导体区的厚度大于或等于所述离子注入区的厚度，所述半导体区的直径大于或等于底部触头的直径，并且所述离子注入区的直径大于所述半导体区的直径， 其中，所述半导体区的直径小于或等于所述底部触头的直径的三倍；并且所述离子注入区的直径大于所述半导体区的直径的两倍， 其中，所述离子注入区包括至少一种类型的注入离子。

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