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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利单芯片集成全桥及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118588705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410623595.X，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权单芯片集成全桥及其制备方法是由代书雨;马倩倩;周理明;王毅设计研发完成，并于2024-05-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本单芯片集成全桥及其制备方法在说明书摘要公布了：单芯片集成全桥及其制备方法，涉及半导体技术领域。本案中全桥整流芯片有效利用了芯片的面积，使用本案中全桥整流芯片只需要将一个芯片进行封装，封装工艺步骤和成本降低，使用本案中全桥整流芯片可以减少四分之三的芯片使用量，功率密度是传统全桥器件的4倍。

本发明授权单芯片集成全桥及其制备方法在权利要求书中公布了：1.单芯片集成全桥的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S100，在外延片1上制备第一轻掺杂N区2和第二轻掺杂N区3； 在第一轻掺杂N区2内部制备第一重掺杂N区4、第一重掺杂P区6，在第二轻掺杂N区3内部制备第二重掺杂N区5、第二重掺杂P区7； 步骤S200，在外延片1上制备第一隔离层8，并分别在第一重掺杂N区4、第一重掺杂P区6、第二重掺杂N区5和第二重掺杂P区7处开窗； 步骤S300，在第一重掺杂N区4、第一重掺杂P区6、第二重掺杂N区5和第二重掺杂P区7处制备相应的第一阴极9、第一阳极11、第二阴极10和第二阳极12； 步骤S400，在外延片1上制备第三轻掺杂N区13和第四轻掺杂N区14；然后在第三轻掺杂N区13上制备第三重掺杂N区15和第三重掺杂P区17，在第四轻掺杂N区14上制备第四重掺杂N区16和第四重掺杂P区18； 步骤S500，在外延片1上制备第二隔离层19，并在第三重掺杂N区15、第三重掺杂P区17、第四重掺杂N区16和第四重掺杂P区18处开窗； 步骤S600，在第三重掺杂N区15、第三重掺杂P区17、第四重掺杂N区16和第四重掺杂P区18处制备相应的第三阴极20、第三阳极22、第四阴极21和第四阳极23，整个器件制备完毕； 其中，外延片1从下到上依次包括第一本征硅区24、氧化物隔层25和第二本征硅区26； 第一轻掺杂N区2从所述外延片1的第二本征硅区26顶面向下延伸；所述第一轻掺杂N区2的顶面设有向下间隔延伸的第一重掺杂N区4和第一重掺杂P区6； 第二轻掺杂N区3从所述外延片1的第二本征硅区26顶面向下延伸；所述第二轻掺杂N区3的顶面设有向下间隔延伸的第二重掺杂N区5和第二重掺杂P区7； 第三轻掺杂N区13从所述外延片1的第一本征硅区24底面向上延伸；所述第三轻掺杂N区13的底面设有向上间隔延伸的第三重掺杂N区15和第三重掺杂P区17； 第四轻掺杂N区14从所述外延片1的第一本征硅区24底面向上延伸；所述第四轻掺杂N区14的底面设有向上间隔延伸的第四重掺杂N区16和第四重掺杂P区18； 第一轻掺杂N区2与第三轻掺杂N区13间隔设置；第二轻掺杂N区3与第四轻掺杂N区14间隔设置； 第一阴极9、第一阳极11、第二阴极10和第二阳极12与下方对应的第一重掺杂N区4、第一重掺杂P区6、第二重掺杂N区5和第二重掺杂P区7接触，形成良好的欧姆接触。

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