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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利氧化镓器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118352402B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410460933.2，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权氧化镓器件及其制备方法是由张逸韵;姚然;杨华;伊晓燕;王军喜设计研发完成，并于2024-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本氧化镓器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种氧化镓器件及其制备方法，该器件包括：肖特基器件、绝缘高导热叠层以及散热基板；肖特基器件包括：衬底、外延层、介质层、肖特基接触金属层、欧姆接触金属层以及电极引脚；绝缘高导热叠层设置于电极引脚的两侧；散热基板通过焊盘与肖特基器件中的电极引脚相连接。本发明提供的氧化镓器件，在氧化镓器件的电极及器件功能区域覆盖有绝缘高导热叠层材料，并以倒装的方式将器件连接在封装散热基板上，通过散热基板实现外接电路。提升器件的散热能力，降低温度对电子漂移的影响；使氧化镓器件所产生的热量被及时导出，降低器件自身的温度，提升氧化镓器件的耐压性能、可靠性以及器件工作稳定性。

本发明授权氧化镓器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化镓器件，其特征在于，包括： 肖特基器件、绝缘高导热叠层6以及散热基板9； 肖特基器件包括：衬底1、外延层2、介质层3、肖特基接触金属层4、欧姆接触金属层5以及电极引脚7，其中，外延层2，与衬底1的第一区域相接触；欧姆接触金属层5，与第一区域间存在间隙，与所述衬底1的第二区域相接触，第二区域位于第一区域的两侧；介质层3，覆盖于所述衬底1中除第一区域以及第二区域外的其他区域，以及所述外延层2的部分区域；肖特基接触金属层4，与所述外延层2表面未被所述介质层3覆盖的区域相接触；电极引脚7，与所述欧姆接触金属层5以及肖特基接触金属层4的部分区域相接触； 绝缘高导热叠层6设置于所述电极引脚7的两侧，所述绝缘高导热叠层6的材料为金刚石、氮化铝、氮化硼、碳化硅、导热树脂及石墨烯构成的组合散热材料或叠层复合散热材料； 散热基板9通过焊盘8与所述肖特基器件中的电极引脚7相连接，所述散热基板9的材料为厚膜陶瓷基板、低温共烧多层陶瓷、薄膜陶瓷基板中的任一材料。

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