浙江创芯集成电路有限公司梅周洲舟获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118281078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410425660.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体结构及其形成方法是由梅周洲舟;陈一宁;高大为设计研发完成，并于2024-04-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底，所述衬底包括绝缘层和位于所述绝缘层上的衬底层；在部分所述衬底表面形成栅极；在所述栅极侧壁形成主侧墙；在形成所述主侧墙之后，在所述衬底表面形成第一外延层；以所述主侧墙和所述栅极为掩膜，向所述第一外延层表面注入第一掺杂离子，在所述第一外延层和所述衬底内形成源漏掺杂区，利于降低源和漏串联电阻，提高载流子速率，降低结电容以及增强电流密度，利于抑制短沟道效应，提高MOSFET器件性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括绝缘层和位于所述绝缘层上的衬底层； 位于部分所述衬底表面的栅极； 位于所述栅极侧壁和衬底表面的主侧墙； 位于所述栅极和所述主侧墙两侧衬底上的第一外延层； 位于所述栅极和所述主侧墙两侧的所述第一外延层和所述衬底内的源漏掺杂区； 位于所述栅极侧壁和所述主侧墙之间的偏移侧墙； 位于所述偏移侧墙和所述栅极两侧衬底内，且包围所述源漏掺杂区的轻掺杂区，所述源漏掺杂区和所述轻掺杂区的导电类型相同； 位于所述栅极和所述偏移侧墙两侧衬底表面的第二外延层，所述主侧墙和所述第一外延层位于所述第二外延层表面； 所述轻掺杂区还位于所述偏移侧墙和所述栅极两侧的所述第二外延层内； 所述源漏掺杂区还位于所述栅极和所述主侧墙两侧的所述第二外延层内。
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