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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117891306B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410224639.1，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源是由樊浩男;王屹晴;方中元;李忠良;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源，包括偏置电路、运算放大电路和零温度系数偏置电路；偏置电路采用1uA的电流源对后续电路提供偏压，以能够在0.65V到2.5V的电源电压下正常工作，运算放大电路通过二级折叠共源共栅运算放大器为零温度系数偏置锁定其输出电压，零温度系数偏置电路通过调整MN25的偏置点实现其工作在零温度系数点，实现电压基准源的输出。本发明的CMOS电压基准源能够工作在宽电压范围，并且不受运算放大器失调电压影响。

本发明授权一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源在权利要求书中公布了：1.一种采用失调电压自消除技术的CMOS电压基准源，其特征在于，所述CMOS电压基准源包括偏置电路、运算放大电路和零温度系数偏置电路； 所述偏置电路包括NMOS管MN1~NMOS管MN11、PMOS管MP1、PMOS管MP2和电流源；所述NMOS管MN1、NMOS管MN2的源端和衬底接地，NMOS管MN1的栅端和漏端、NMOS管MN2的栅端接电流源的一端，电流源的另一端连接电源电压端；NMOS管MN2的漏端接NMOS管MN10的源端和衬底；NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6的栅端和漏端分别短接，且NMOS管MN4的源端和NMOS管MN3的栅端串联、NMOS管MN5的源端和NMOS管MN4的栅端串联、NMOS管MN6的源端和NMOS管MN5的栅端串联，NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6的衬底接地，NMOS管MN3的源端和衬底相连接并接地；NMOS管MN7的源端、衬底接NMOS管MN6的漏端，栅端和漏端接NMOS管MN10栅端；NMOS管MN8的源端和衬底接NMOS管MN7的漏端，NMOS管MN8的栅端和漏端接NMOS管MN9的衬底和源端；NMOS管MN9的栅端和漏端接PMOS管MP2的漏端；NMOS管MN10的漏端接NMOS管MN11的源端和衬底；NMOS管MN11的栅端接NMOS管MN9的漏端；PMOS管MP1的栅端和漏端接NMOS管MN11的漏端，PMOS管MP1的源端和衬底接电源电压，PMOS管MP2的栅端接PMOS管MP1的漏端，PMOS管MP2的源端和衬底接电源电压； 所述运算放大电路包括NMOS管MN12~NMOS管MN24，以及PMOS管MP3~PMOS管MP18；所述NMOS管MN12源端和衬底接地，栅端接NMOS管MN1的漏端，漏端接NMOS管MN13和NMOS管MN14的源端；NMOS管MN13的栅端连接第二电阻RDS的第一端部，NMOS管MN14的栅端连接第一电阻RGS的第一端部，NMOS管MN13的漏端接NMOS管MN15的源端和衬底以及PMOS管MP3的漏端，NMOS管MN14的漏端接NMOS管MN16的源端和衬底以及PMOS管MP4的漏端；NMOS管MN15和NMOS管MN16的栅端接NMOS管MN7的漏端，NMOS管MN15的漏端接PMOS管MP3的源端和衬底、PMOS管MP9的漏端以及PMOS管MP7的源端和衬底；NMOS管MN16的漏端接PMOS管MP4源端和衬底、PMOS管MP10的漏端以及PMOS管MP8的源端和衬底；PMOS管MP9和PMOS管MP10的衬底和源端接电源电压，PMOS管MP9和PMOS管MP10的栅端接PMOS管MP1的漏端；PMOS管MP7和PMOS管MP8的栅端接PMOS管MP14的漏端，PMOS管MP7的漏端接PMOS管MP5的源端和衬底，PMOS管MP8的漏端接PMOS管MP6的源端和衬底；PMOS管MP5和PMOS管MP6的栅端接PMOS管MP11的漏端，PMOS管MP5的漏端接NMOS管MN19的漏端，PMOS管MP6的漏端接NMOS管MN20的漏端；NMOS管MN19和NMOS管MN20的栅端接NMOS管MN5的栅端，NMOS管MN19的源端接NMOS管MN17的漏端，NMOS管MN20的源端接NMOS管MN18的漏端；NMOS管MN17和NMOS管MN18的栅端接NMOS管MN19的漏端，NMOS管MN17和NMOS管MN18的源端和衬底接地；PMOS管MP14、PMOS管MP15、PMOS管MP16、PMOS管MP17栅漏短接，且PMOS管MP14的源极和PMOS管MP15的栅端串联、PMOS管MP15的源极和PMOS管MP16的栅端串联、PMOS管MP16的源极和PMOS管MP17的栅端串联；PMOS管MP13的衬底和源端接PMOS管MP14的漏端，PMOS管MP12的衬底和源端接PMOS管MP13的栅端和漏端，PMOS管MP11的衬底和源端接PMOS管MP12的栅端和漏端；NMOS管MN21衬底和源端接地，NMOS管MN21的漏端接PMOS管MP11的栅端和漏端，NMOS管MN21的栅端接NMOS管MN1的漏端，NMOS管MN22栅端接NMOS管MN20漏端，NMOS管MN22源端和衬底接地，NMOS管MN22漏端接NMOS管MN23的衬底和源端，NMOS管MN23的栅端接NMOS管MN7的漏端，NMOS管MN23的漏端接NMOS管MN24的衬底和源端，NMOS管MN24的栅端接NMOS管MN9的漏端，NMOS管MN24的漏端接PMOS管MP18的漏端，PMOS管MP18的栅端接PMOS管MP1的漏端，PMOS管MP18的源端和衬底接电源电压；NMOS管MN13、NMOS管MN14、NMOS管MN19、NMOS管MN20的衬底接地；PMOS管MP17的源极和衬底连接电源电压端； 所述零温度系数偏置电路包括NMOS管MN25、PMOS管MP19~PMOS管MP24、第一电阻RGS和第二电阻RDS；PMOS管MP19和PMOS管MP20的源端和衬底接电源电压，栅端接PMOS管MP18的漏端，PMOS管MP19的漏端接PMOS管MP21的源端和衬底，PMOS管MP20的漏端接PMOS管MP22的源端和衬底；PMOS管MP21和PMOS管MP22的栅端接PMOS管MP13的漏端，PMOS管MP21的漏端接PMOS管MP23源端和衬底，PMOS管MP22的漏端接PMOS管MP24源端和衬底；PMOS管MP23和PMOS管MP24的栅端接PMOS管MP11的漏端，PMOS管MP23的漏端接第一电阻RGS的第一端部，第一电阻RGS的第二端部接地；PMOS管MP24的漏端接第二电阻RDS的第一端部和NMOS管MN25的栅端，第二电阻RDS的第二端部接NMOS管MN25的漏端，NMOS管MN25的源端和衬底接地。

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