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龙图腾网获悉天津科技大学申请的专利一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂的方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117816126B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410023480.7，技术领域涉及：B01J20/22；该发明授权一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂的方法及其应用是由唐娜;李园园;张蕾;尹振;肖意明;程鹏高;张建平设计研发完成，并于2024-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂的方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂的方法及其应用，所述铝基锂吸附剂为Li‑Al‑CO33‑ClLDH，其层间阴离子包括Cl‑‑和层间插层阴离子，所述层间插层阴离子为CO332‑2‑。制备方法包括以下步骤：1从备选层间阴离子中利用DFT筛选出层间插层阴离子，所述层间插层阴离子为CO332‑2‑；2选用步骤1中筛选出的CO332‑2‑作为层间插层阴离子，合成CO332‑2‑插层的铝基锂吸附剂。本发明通过DFT计算对铝基锂吸附剂的层间插层阴离子进行高效筛选，确定层间插层阴离子为CO332‑2‑，进一步，本发明制备得到的具有层间插层阴离子的铝基锂吸附剂吸附容量高，稳定性和锂离子选择性好，可用于盐湖卤水提锂吸附剂的使用。

本发明授权一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂的方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种基于DFT筛选制备铝基锂吸附剂制备方法，其特征在于，所述铝基锂吸附剂为Li-Al-CO3-ClLDH，其层间阴离子包括Cl-和层间插层阴离子，所述层间插层阴离子为CO32-； 制备方法包括以下步骤： 1从备选层间阴离子中利用DFT筛选出层间插层阴离子，所述层间插层阴离子为CO32-； 2选用步骤1中筛选出的CO32-作为层间插层阴离子，合成CO32-插层的铝基锂吸附剂； 步骤1中所述备选层间阴离子包括：PO43-、CO32-、SO42-、F-、OH-、Cl-、Br-、I-、NO3-、ClO4-； 步骤1包括以下步骤： 11选用基于DFT的计算方法计算所述备选层间阴离子的脱出能，其中脱出能大于Cl-的脱出能的备选层间阴离子作为层间插层阴离子； 12选用基于DFT的计算方法对所述备选层间阴离子的模型进行构型优化，根据构型优化的结果计算所述备选层间阴离子的层间距，其中层间距与Cl-插层时层间距相近的备选层间阴离子作为层间插层阴离子； 其中层间插层阴离子需要同时满足步骤11和步骤12中的条件。

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