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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117592413B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311581479.8，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法是由毛书漫;苏祥;徐跃杭设计研发完成，并于2023-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种GaNHEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，基于区域划分模型的GaNHEMT高低温模型，建立了考虑高低温效应的物理基噪声模型。该模型通过高低温夹断电压模型参数、迁移率模型参数、高低温电流模型参数、其余关键参数的高低温模型参数提取组合，以及采取的高低温噪声特性专门计算方法。对比目前已有的噪声建模及参数提取技术，该噪声模型没有拟合参数，大大简化了噪声参数提取流程；且可应用于不同环境温度下，均具有较高精度，可以为复杂工作环境下的低噪声放大器电路设计，及器件优化提供更加精确灵活的指导。

本发明授权一种GaN HEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种GaNHEMT物理基高低温噪声模型参数提取方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、高低温电压-电流特性曲线和多偏置S参数测试；对需要提取参数的GaNHEMT器件，开展不同环境温度下静态直流I-V测试和S参数测试，分别得到不同环境温度下各栅-源偏置电压Vgs和漏-源偏置电压Vds下的漏-源电流Ids特性曲线，以及不同栅-源偏置电压Vgs和漏-源偏置电压Vds下的S参数； S2、高低温夹断电压模型参数提取； 步骤201，建立高低温Voff模型，该模型通过肖特基势垒高度φB，AlGaN和GaN材料导带不连续性ΔEc的温度相关性，基于预设条件，来表征Voff的环境温度效应； 具体的，高低温Voff模型表达式： 1 式中，Nd为AlGaN层的掺杂浓度，dd为未掺杂的势垒层厚度，di为掺杂的势垒层厚度，σ为极化面电荷密度，εAlGaN为AlGaN材料的相对介电常数，Tamb为环境温度； 步骤202，建立φB和ΔEc的环境温度模型，所述模型由常温状态下的肖特基势垒高度、环境温度相关调制系数，结合AlGaN禁带宽度的环境温度相关模型、常温状态下AlGaN的禁带宽度建立； φB和ΔEc的环境温度模型的方程如下： 2 3 式中，φBT0对应常温状态下的肖特基势垒高度，α对应环境温度相关调制系数，Eg-AlGaNTamb和Eg-AlGaNT0分别对应AlGaN禁带宽度的环境温度相关模型和常温状态下AlGaN的禁带宽度； 其中Eg-AlGaNTamb的表达式为： 4 式中，m为铝组分含量；Eg-AlNTamb和Eg-GaNTamb为AlN和GaN的环境温度相关模型； 所述Eg-GaNTamb模型由常温状态下GaN的禁带宽度，GaN的环境温度相关调制系数获得， Eg-GaNTamb模型表达式为： 5 式中，Eg-GaNT0为常温状态下GaN的禁带宽度，αGaN和βGaN为GaN的环境温度相关调制系数，其值分别为9.09×10-4和830； 所述Eg-AlNTamb模型由常温状态下AlN的禁带宽度，AlN的环境温度相关调制系数获得； Eg-GaNTamb模型表达式为： 6 式中，Eg-AlNT0为常温状态下AlN的禁带宽度，αAlN和βAlN为AlN的环境温度相关调制系数，其值分别为1.799×10-3和1462； 步骤203，根据步骤1中测试得到的高低温电压-电流特性曲线，绘制不同漏压下，漏极电流随栅极电压变化的曲线，以漏极电流10-6A对应的栅极电压作为夹断电压，分别提取得到各环境温度下的夹断电压Voff； 式2中的环境温度相关系数α，根据不同环境温度下的Voff提取值，结合式1，采用最小二乘法曲线拟合，提取得到； S3、迁移率模型参数提取；所述迁移率与环境温度呈反比关系； S4、高低温电流模型参数提取；采用步骤2和3中夹断电压和迁移率模型的温度相关性，等效临界电场Eceff的环境温度相关性，建立高低温电流模型； S5、特定参数的环境温度模型参数提取；所述特定参数为Rd，Rs，Cgs和Cgd； S6、高低温噪声特性计算；包括晶体管本征漏极沟道噪声功率谱密度SId、栅极感应噪声功率谱密度SIg、栅极感应噪声和漏极沟道噪声的相关系数C计算； S7、模型验证。

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