中国科学院深圳先进技术研究院童丽萍获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院深圳先进技术研究院申请的专利一种种植体及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117582552B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311702820.0，技术领域涉及：A61L27/30；该发明授权一种种植体及其制备方法和应用是由童丽萍;王怀雨;伊赫桑·乌拉设计研发完成，并于2023-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种种植体及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种种植体及其制备方法和应用，所述种植体包括材料本体、金属氧化物层和混晶层，所述混晶层位于所述金属氧化物层表面；所述金属氧化物层包括金属氧化物纳米棒阵列；所述金属氧化物选自氧化锌、氧化银或其组合；所述混晶层包括CaP晶体和金属氧化物晶体。本发明的种植体通过金属氧化物纳米棒物理穿刺和降解产生的抑菌金属离子进行杀菌，对革兰氏阳性菌和革兰氏阴性菌均具有较好的抗菌效果，预防感染；同时能够缓解植入后的炎症反应，降低植入后感染情况下的免疫反应，缩短伤口愈合时间。此外，由于混晶层对金属氧化物层的包覆作用，使抑菌金属离子缓慢释放，释放时间长，可以实现持久抗菌，同时可降低植入后的炎症反应。
本发明授权一种种植体及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种种植体，其特征在于：包括由内至外依次设置的材料本体、金属氧化物层、混晶层和CaP晶体层；所述金属氧化物层包括金属氧化物纳米棒阵列；所述金属氧化物选自氧化锌、氧化银或其组合；所述混晶层包括CaP晶体和金属氧化物晶体； 所述种植体为超亲水材料；所述种植体的水接触角＜10°； 所述混晶层的厚度为0.1~10nm； 所述CaP晶体的含量从混晶层表层至混晶层内层递减；所述金属氧化物晶体的含量从混晶层表层至混晶层内层递增。
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