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龙图腾网获悉中国科学院南京土壤研究所申请的专利一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117388438B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311332157.X，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法是由周俊;夏睿智;周伶俐;孙玉芳;曾振;周静设计研发完成，并于2023-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法，属于污染来源调查技术领域，该方法通过设置野外试验和温室试验，能够获得谷物不同部位的Cd同位素组成，并通过结合Cd同位素混合模型能够计算出大气沉降和土壤原有Cd对谷物某部位中Cd的贡献率f22和f11；本发明提供的方法能够更准确的示踪作物对Cd同位素的吸收和转运过程。

本发明授权一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法在权利要求书中公布了：1.一种计算大气沉降通过不同暴露途径对谷物富集Cd贡献率的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1收集非大气沉降区的表层土壤作为供试土壤，并采集大气沉降区的颗粒作为暴露处理原料； 2分别设置野外试验和温室试验，其中，野外试验中设置对照组、根部暴露处理组和叶面暴露处理组；温室试验中设置空白处理组和暴露处理组，所述暴露处理组包括根部暴露L处理组、根部暴露H处理组、叶面暴露L处理组和叶面暴露H处理组； 步骤2所述野外试验中设置的对照组和根部暴露处理组均置于非大气沉降区，叶面暴露处理组置于大气沉降区；所述野外试验中设置的根部暴露处理组施用由大气沉降收集装置收集获得的污染水；所述野外试验中设置的叶面暴露处理组的土壤表面覆盖土工膜，阻止大气沉降进入土壤； 步骤2所述温室试验中设置的根部暴露L处理组和根部暴露H处理组在种植谷物前向土壤中添加采集自大气沉降区的颗粒，所述温室试验中设置的叶面暴露L处理组和叶面暴露H处理组在谷物生长至拔节期时将采集自大气沉降区的颗粒涂布至叶的正表面；所述温室试验在室温为25~35℃的环境中进行； 根部暴露L处理组和叶面暴露L处理组中均添加1~1.5g的颗粒； 根部暴露H处理组和叶面暴露H处理组中均添加2.5~3g的颗粒； 3在各个处理组中种植谷物，待谷物成熟后，测定谷物各部位的Cd浓度和Cd同位素组成； 4将测得的结果按照公式1计算温室试验中大气沉降区的颗粒对谷物各部位的Cd贡献率S，若相较于空白处理组，s≥85%；且不同暴露途径所得到的谷物各部位的Cd同位素组成差异不显著，则定义在不同暴露处理下的Cd同位素分馏值相同，为定值，即Cd同位素分馏值不会随着颗粒用量的变化而变化；并根据温室试验中测定的Cd同位素组成值计算大气沉降区的颗粒通过不同暴露途径对谷物不同部位的Cd同位素分馏值，即，获得Δ114110Cd根-颗粒，Δ114110Cd部位-根”，Δ114110Cd叶-颗粒，Δ114110Cd部位-叶”； 其中，Cd同位素分馏值的计算根据Δ114110CdA-B=δ114110CdA-δ114110CdB计算获得； S=Cd暴露处理组-Cd空白处理组Cd暴露处理组×100%公式1； 5假设在相同的谷物品种、土壤和种植模式下，来自土壤原有的Cd在谷物中的根到某一个部位发生的Cd同位素分馏值Δ114110Cd部位-根’是恒定的，则同位素分馏值通过野外试验的对照组中的根和任意一个部位的Cd同位素组成δ114110Cd根-对照组、δ114110Cd部位-对照组来计算，即得公式2： Δ114110Cd部位-根’=δ114110Cd部位-对照组-δ114110Cd根-对照组 =δ114110Cd部位-根部暴露处理组’-δ114110Cd根-根部暴露处理组’ =δ114110Cd部位-叶面暴露处理组’-δ114110Cd根-叶面暴露处理组’ 公式2； 由于在野外试验中，谷物的根生长在相同的土壤上，来自土壤原有Cd所贡献的Cd同位素组成相同，则， δ114110Cd根-对照组=δ114110Cd根-根部暴露处理组’=δ114110Cd根-叶面暴露处理组’； 公式3； 将公式3代入公式2，可得： δ114110Cd部位-根部暴露处理组’=δ114110Cd部位-叶面暴露处理组’ =Δ114110Cd部位-根’+δ114110Cd根-对照组 公式4； 6由于温室试验中，谷物的根和叶中的Cd全部来自于颗粒，因此，定义在不同暴露剂量下，谷物的根和叶吸收颗粒中的Cd的分馏值：Δ114110Cd根-颗粒和Δ114110Cd叶-颗粒以及不同部位间Cd转运时的分馏值Δ114110Cd部位-根”和Δ114110Cd部位-叶”不变，进行下一步计算： 由于在式1部分已确定Cd的同位素分馏值不会随着颗粒用量的变化而变化，为定值，因此，假设在野外试验中，谷物的根或叶对大气沉降Cd的吸收和转运与温室试验中谷物的根或叶对颗粒Cd的吸收和转运所造成的同位素分馏相同，则： δ114110Cd根-根部暴露处理组”=δ114110Cd大气沉降+Δ114110Cd根-大气沉降 =δ114110Cd大气沉降+Δ114110Cd根-颗粒 公式5； δ114110Cd叶-叶面暴露处理组”=δ114110Cd大气沉降+Δ114110Cd叶-大气沉降 =δ114110Cd大气沉降+Δ114110Cd叶-颗粒 公式6； 与公式4原理相同的：在野外试验中，任意一个部位的Cd同位素组成可以由根或叶的Cd同位素组成以及谷物体内的Cd同位素分馏值计算得到： δ114110Cd部位-根部暴露处理组”=δ114110Cd根-根部暴露处理组”+Δ114110Cd部位-根” 公式7； δ114110Cd部位-叶面暴露处理组”=δ114110Cd叶-叶面暴露处理组”+Δ114110Cd部位-叶” 公式8； 7根据Cd同位素混合模型计算大气沉降和土壤原有Cd对谷物某部位中Cd的贡献率f2和f1， 由于δ114110Cd部位=f1×δ114110Cd部位’+f2×δ114110Cd部位’’ 1=f1+f2 公式9； 通过公式9结合上述公式4、公式5和公式7或公式4、公式6和公式8即可计算获得大气沉降对谷物某个部位的Cd的贡献率； 式中， S代表使用质量平衡法计算温室试验中大气沉降的颗粒对谷物各部位的Cd贡献率； Δ114110Cd根-颗粒代表温室试验中大气沉降的颗粒被谷物的根吸收所发生的Cd同位素分馏值； Δ114110Cd部位-根”代表温室试验中的根从大气沉降的颗粒中吸收的Cd从根部转运至谷物某部位所发生的Cd同位素分馏值； Δ114110Cd叶-颗粒代表温室试验中大气沉降的颗粒被谷物的叶吸收所发生的Cd同位素分馏值； Δ114110Cd部位-叶”代表温室试验中的叶从大气沉降的颗粒中吸收的Cd从叶转运至谷物某部位所发生的Cd同位素分馏值； Cd暴露处理组代表温室试验的暴露处理组中谷物某部位的Cd浓度； Cd空白处理组代表温室试验空白处理组中谷物某部位的Cd浓度； Δ114110Cd部位-根’代表根从土壤中吸收的来自土壤原有的Cd从根部转运至谷物某部位所发生的Cd同位素分馏值； δ114110Cd根-对照组代表对照组中谷物根的Cd同位素组成； δ114110Cd部位-对照组代表对照组中谷物某部位的Cd同位素组成； δ114110Cd部位-根部暴露处理组’代表根部暴露处理组中谷物某部位来自土壤原有Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd根-根部暴露处理组’代表根部暴露处理组中谷物根来自土壤原有Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd部位-叶面暴露处理组’代表叶面暴露处理组中谷物某部位来自土壤原有Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd根-叶面暴露处理组’代表叶面暴露处理组中谷物根来自土壤原有Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd根-根部暴露处理组”代表根部暴露处理组中谷物根来自大气沉降的颗粒Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd叶-叶面暴露处理组”代表叶面暴露处理组中谷物叶来自大气沉降的颗粒Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd部位-根部暴露处理组”代表根部暴露处理组中谷物某部位来自大气沉降的颗粒Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd部位-叶面暴露处理组”代表叶面暴露处理组中谷物某部位来自大气沉降的颗粒Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd部位代表不同暴露组中谷物某部位的Cd同位素组成； δ114110Cd部位’代表不同暴露组中谷物某部位来自土壤原有Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd部位’’代表不同暴露组中谷物某部位来自大气沉降的颗粒Cd贡献的Cd同位素组成； δ114110Cd大气沉降代表野外试验中测得的大气沉降区沉降的颗粒的Cd同位素组成； Δ114110Cd根-大气沉降代表在大气沉降区的野外试验中大气沉降的颗粒被谷物的根吸收所发生的Cd同位素分馏值； f1是来自土壤原有Cd对谷类作物某一个部位贡献的比例； f2是来自大气沉降的颗粒中的Cd对谷类作物某一个部位贡献的比例； 所述部位包括根、叶和稻米中的一种。

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