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龙图腾网获悉大连大学申请的专利一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117342883B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311298648.7，技术领域涉及：C04B37/02；该发明授权一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法是由王兴安;韩霜;罗凌;孙旭东;吕卉;任培;柏小龙;孙晶;惠宇;刘旭东;那兆霖设计研发完成，并于2023-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法在说明书摘要公布了：本发明属于活性金属钎焊领域，公开了一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法。本发明通过限定具体条件下添加活性金属钎料使陶瓷与铜结合，能够有效改善陶瓷与铜结合的润湿性能，并采用热压烧结炉进行真空包套及热等静压烧结工艺实现陶瓷与金属铜之间的高强度紧密连接，可以有效解决陶瓷覆铜基板在大功率半导体器件中的结合强度低等问题。解决制备陶瓷覆铜基板步骤繁琐，耗时较长的问题。

本发明授权一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法在权利要求书中公布了：1.一种用热等静压烧结制备IGBT陶瓷覆铜基板的方法，其特征是，包括以下步骤：S1．在最下面放置一层钛箔，然后按照Cu箔、钎料、陶瓷、钎料、Cu的顺序放在钛箔的正中间，最后在上面放置一层钛箔，组装好并放入包套模具中；在热压烧结炉中进行抽真空，得到高真空度的待焊件； S2．将步骤1中真空包套后的待焊件放入热等静压烧结炉进行钎焊，即陶瓷覆铜基板； 步骤S1中所述的陶瓷为Si3N4、AlN中的任一种，厚度为0.30~5.00mm；钎料为银铜钛合金、银钛合金或其他含钛合金的任一种，厚度为0.03~0.10mm；Cu箔厚度为0.02~5.00mm；钛箔是工业纯钛合金，厚度为0.10~0.50mm； 步骤S1中所述包套程序为：①以15~20℃min从25℃均匀升温至700~800℃，升压至6~6.5MPa；②保温保压30~45min；③包套完成后卸去压力，降至室温后取出； 步骤S2中所述的在热等静压烧结炉中的烧结工艺为：以10~20℃min从25℃升温至550~650℃，升压至80~100MPa，保持30~60min，后以5~10℃min升温至700~900℃，升压至150~200MPa；在最高温度、最高压力的条件下保持30~60min；然后以10~20℃min降至200~300℃；最后随炉降至室温。

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