中国科学院大连化学物理研究所赵哲获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种质子导体电解池复合膜、膜电极及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117326863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311275421.0，技术领域涉及：C04B35/48；该发明授权一种质子导体电解池复合膜、膜电极及制备方法是由赵哲;邵志刚;程谟杰设计研发完成，并于2023-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种质子导体电解池复合膜、膜电极及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种质子导体电解池复合膜、膜电极及制备方法，属于燃料电池及电解池领域。该复合膜由依次紧密连接的质子导体基电解质层、氧化锆基电解质膜层和氧化铈基电解质膜层组成；质子导体基电解质层的材料为BaZr1‑1‑zzNzzO33,0.01≤z＜1；氧化锆基电解质膜层的材料为MyyZr1‑y1‑yO22,0.01≤y≤0.5；氧化铈基电解质膜层的材料为LnxxCe1‑x1‑xO22,0.01≤x≤0.5。该复合膜基电解池具有非常低的质子传输电阻和较大的电子阻挡电阻，在400～600℃显示出优异的电解性能。
本发明授权一种质子导体电解池复合膜、膜电极及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种质子导体电解池复合膜，其特征在于：所述质子导体电解池复合膜由依次紧密连接的质子导体基电解质层、氧化锆基电解质膜层和氧化铈基电解质膜层组成； 所述质子导体基电解质层的材料为BaZr1-zNzO3，式中，N为Y、Ce、Yb、Sc、Gd、La、Sm、Pr中的一种，0.01≤z＜1；所述氧化锆基电解质膜层的材料为MyZr1-yO2，式中，M为Y、Ce、Yb、Sc、Gd、La、Sm、Pr中的一种，0.01≤y≤0.5；所述氧化铈基电解质膜层的材料为LnxCe1-xO2，式中，Ln为Y、Ce、Yb、Sc、Gd、La、Sm、Pr中的一种，0.01≤x≤0.5； 所述M与所述N为相同元素。
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