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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利气体传感器的长期漂移的校正方法以及校正系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117169423B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310737983.6，技术领域涉及：G01N33/00；该发明授权气体传感器的长期漂移的校正方法以及校正系统是由于亚运;宋海飞;李小娟;闪俊杰;贾国强;王乐红;胡毅设计研发完成，并于2023-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本气体传感器的长期漂移的校正方法以及校正系统在说明书摘要公布了：本发明涉及检测技术领域，公开一种气体传感器的长期漂移的校正方法以及校正系统。所述校正方法包括：在将气体传感器加热到第一预设温度且维持预设时间之后，停止对气体传感器加热；测量气体传感器的匹配电阻在预设条件下的电压，其中所述预设条件包括第二预设温度，及所述第二预设温度小于所述第一预设温度；根据电源电压、匹配电阻在所述预设条件下的电压以及标定气敏电阻，确定气敏电阻变化率，其中标定气敏电阻为气体传感器在所述预设条件下的气敏电阻标定值；及根据所述气敏电阻变化率，对所述气体传感器执行相应的校正操作。本发明可在应用现场的复杂气体环境中对气体传感器进行长期漂移校正。

本发明授权气体传感器的长期漂移的校正方法以及校正系统在权利要求书中公布了：1.一种气体传感器的可逆性漂移的校正方法，该气体传感器为微机电系统MEMS传感器，其特征在于，所述校正方法包括： 在将所述气体传感器加热到第一预设温度且维持预设时间之后，停止对所述气体传感器加热，其中所述加热能够恢复所述气体传感器的气敏材料的活性； 测量所述气体传感器的匹配电阻在预设条件下的电压，其中，所述预设条件包括第二预设温度，以及所述第二预设温度小于所述第一预设温度，其中所述第二预设温度为常温或现场温度； 根据电源电压、所述匹配电阻在所述预设条件下的电压以及标定气敏电阻，确定气敏电阻变化率，其中，所述标定气敏电阻为所述气体传感器在所述预设条件下的气敏电阻标定值，其中，出厂时进行气敏电阻Ro标定时，将Ro在不同温度T下的数据进行逐一标定，并将对应关系拟合为公式，将现场温度代入该公式中，得到在现场温度下的标定气敏电阻；以及 根据所述气敏电阻变化率，对所述气体传感器执行相应的校正操作， 其中，所述匹配电阻与所述气敏电阻相串联， 其中，所述对所述气体传感器执行相应的校正操作包括：在所述气敏电阻变化率小于或等于预设值的情况下，确定可逆性漂移消失；或者在所述气敏电阻变化率大于所述预设值的情况下，将所述气体传感器加热到所述第一预设温度且维持所述预设时间并重复执行该校正方法。

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