京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司丰亚洁获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;北京京东方传感技术有限公司申请的专利纹路识别模组及纹路识别装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117157683B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202280000344.5，技术领域涉及：G06V40/13；该发明授权纹路识别模组及纹路识别装置是由丰亚洁;李成;耿越;李重寰;代翼;祁朝阳;李泽飞;席聪聪;王星龙;王迎姿设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本纹路识别模组及纹路识别装置在说明书摘要公布了：本公开提供的纹路识别模组及纹路识别装置，包括纹路识别基板，纹路识别基板包括纹路识别区，以及位于纹路识别区至少一侧的非纹路识别区；防静电层，位于纹路识别基板之上，防静电层在纹路识别基板上的正投影完全覆盖纹路识别区且延伸至非纹路识别区，并与非纹路识别区相互交叠。
本发明授权纹路识别模组及纹路识别装置在权利要求书中公布了：1.一种纹路识别模组，其中，包括： 纹路识别基板，所述纹路识别基板包括纹路识别区，以及位于所述纹路识别区至少一侧的非纹路识别区； 防静电层，位于所述纹路识别基板之上，所述防静电层在所述纹路识别基板上的正投影完全覆盖所述纹路识别区且延伸至所述非纹路识别区，并与所述非纹路识别区相互交叠；所述防静电层为导电层； 防强光层和第一保护层，所述防静电层位于所述防强光层和所述第一保护层之间，且所述防强光层邻近所述纹路识别基板设置；所述第一保护层在所述纹路识别基板上的正投影大于所述纹路识别区且位于所述防强光层在所述纹路识别基板上的正投影内；所述第一保护层的材料包括氮化硅，所述第一保护层的硬度大于等于6H；所述纹路识别基板还包括导电结构，所述导电结构位于所述防静电层远离所述纹路识别基板的一侧，所述导电结构位于所述非纹路识别区且与所述导电层接触设置；所述导电结构面积大于等于10mm2。
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