济南大学高城城获国家专利权
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龙图腾网获悉济南大学申请的专利一种铋溴杂化材料的合成用于光催化降解盐酸四环素获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117143043B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310939369.8，技术领域涉及：C07D277/62；该发明授权一种铋溴杂化材料的合成用于光催化降解盐酸四环素是由高城城;刘广宁;王婷婕;唐雪娜;李村成设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种铋溴杂化材料的合成用于光催化降解盐酸四环素在说明书摘要公布了：本发明公开了一种铋溴基无机‑有机杂化半导体及其制备方法和应用。所述的杂化半导体分子结构式为Etbtz22Bi22Br1010，式中的Etbtz2+2+是带有两个正电荷的乙基化的苯并噻唑阳离子，该材料中的Bi22Br10104–4–阴离子则是三价铋离子和溴离子配位形成的零维阴离子结构。通过选择溴化铋、硫酸锰、苯并噻唑、乙醇和氢溴酸为反应原料，在溶剂热的条件下获得了化合物Etbtz22Bi22Br1010的单晶，可以用于光催化盐酸四环素降解。
本发明授权一种铋溴杂化材料的合成用于光催化降解盐酸四环素在权利要求书中公布了：1.一种无机-有机铋溴杂化半导体，其特征在于该杂化半导体的分子式为Etbtz2Bi2Br10，表现为离子型杂化结构，其中阳离子为乙基化苯并噻唑阳离子Etbtz2+，阴离子为八面体共边连接形成的Bi2Br104-双核阴离子，该铋溴杂化半导体结晶于三斜晶系，P-1空间群，单胞参数为α＝100.73°，β＝97.63°，γ＝99.43°。
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