北京智芯传感科技有限公司周浩楠获国家专利权
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龙图腾网获悉北京智芯传感科技有限公司申请的专利一种倒装式力传感器阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117007219B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310698679.5，技术领域涉及：H10D48/50；该发明授权一种倒装式力传感器阵列是由周浩楠;赵晓东;陈广忠;张亚婷设计研发完成，并于2023-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装式力传感器阵列在说明书摘要公布了：本发明提供了一种倒装式力传感器阵列，包括阵列式MEMS力传感器和柔性电路板。阵列式MEMS力传感器由m×n个MEMS力传感器组成，其中m≥1，n≥1；MEMS力传感器，选用十字梁结构，由力感应薄膜、惠斯通敏感电桥、框架和电极组成，力感应薄膜位于十字梁中心位置，惠斯通敏感电桥由四个电阻条组成，电阻条方式一致，分别位于十字梁应力最大区域内。四个电极由硅片刻蚀而成，分布在框架的四个直角位置；柔性电路板上分布m×n个MEMS力传感器封装焊盘，每个封装焊盘包括四个pad和一个凸点，凸点位于封装焊盘的中心位置。被测力通过柔性板上金属凸点直接传递至MEMS力传感器敏感区，实现压力的精确测量。
本发明授权一种倒装式力传感器阵列在权利要求书中公布了：1.一种倒装式力传感器阵列，其特征在于，包括阵列式MEMS力传感器和柔性电路板；所述阵列式MEMS力传感器由m×n个MEMS压力传感器组成，其中m≥1，n≥1；所述MEMS压力传感器，选用十字梁结构，由力感应薄膜、惠斯通敏感电桥、框架和电极组成；所述力感应薄膜位于十字梁中心位置，所述惠斯通敏感电桥由四个电阻条组成，电阻条方式一致，分别位于十字梁应力最大区域内，四个电极分布在框架的四个直角位置，所述MEMS压力传感器的四个电极由硅片刻蚀而成，形成硅柱；所述柔性电路板上分布m×n个MEMS压力传感器的封装焊盘，每个封装焊盘包括四个pad和一个凸点，凸点位于封装焊盘的中心位置；所述凸点通过焊盘开窗加沉金工艺实现，无任何电气连接，用于与力感应薄膜接触，作为外力传导件，将被测外力传递至力感应薄膜。
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