中微半导体设备(上海)股份有限公司周楚秦获国家专利权
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龙图腾网获悉中微半导体设备(上海)股份有限公司申请的专利一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116926506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210349977.9,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置是由周楚秦;张海龙;庞云玲;姜勇设计研发完成,并于2022-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置在说明书摘要公布了:本发明公开了一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置,该纵长形反应腔体包含:纵长方向延伸的顶壁、底壁和侧壁围绕而成的腔体,腔体两端分别为进气开口和排气开口;腔体内部空间包括进气区域、排气区域和反应区域,各区域沿纵长方向排列;反应区域下方的底壁上设置有延伸管,旋转轴从延伸管伸入反应区域以支撑托盘和基片,使得基片在反应区域中旋转;反应腔体两个侧壁内表面竖直且互相平行;顶壁在反应区域向上拱起,使得基片上沿纵长方向上分布的多个点到顶壁的距离不同。其优点是:该纵长形反应腔体的顶壁在反应区域处向上拱起,以使其具有较高的机械强度,从而具有更强的承压能力,同时基片上方的气体流场较为稳定,保证了薄膜沉积的均匀性。
本发明授权一种纵长形反应腔体及其化学气相沉积装置在权利要求书中公布了:1.一种化学气相沉积装置的腔体结构,其特征在于,包含: 纵长形反应腔体,其包含:纵长方向延伸的顶壁、底壁和两个侧壁围绕而成的腔体,腔体一端为进气开口,另一端为排气开口,所述进气开口和排气开口的横向宽度大于竖直高度; 所述腔体的内部空间包括与进气开口对应的进气区域、与排气开口对应的排气区域以及位于所述进气区域和所述排气区域之间的反应区域,所述进气区域、所述反应区域和所述排气区域沿纵长方向排列; 所述反应区域下方的底壁上设置有延伸管,所述延伸管用于容纳旋转轴从延伸管伸入反应区域,所述旋转轴用于支撑托盘以及托盘上的基片,使得基片在反应区域中旋转; 所述反应腔体两个侧壁内表面竖直且互相平行; 所述顶壁在反应区域向上拱起,使得基片上沿纵长方向上分布的多个点到顶壁的距离不同,所述顶壁在反应区域无加强筋; 外壳体,其设置于所述纵长形反应腔体外侧,所述外壳体的内表面和所述纵长形反应腔体的外表面之间构成一容纳空间; 抽真空装置,其用于分别独立调控所述纵长形反应腔体内与所述容纳空间的气压。
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