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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种含有两个硅氢键的邻二硅基化合物及其合成方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116925120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210367914.6，技术领域涉及：C07F7/08；该发明授权一种含有两个硅氢键的邻二硅基化合物及其合成方法和应用是由陆展;程朝阳;李明桦;张兴宏设计研发完成，并于2022-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种含有两个硅氢键的邻二硅基化合物及其合成方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种含有两个硅氢键的邻二硅基化合物，如式VI所示，并公开了以炔烃和硅烷为原料，高效率、高区域选择性的合成邻二硅基化合物的制备方法。该方法反应条件温和，操作简便，原子经济性高，无有毒过渡金属如钌、铑、钯等盐类的加入，且反应区域选择性非常高，基本为单一区域选择性。含有两个硅氢键的邻二硅基化合物为本发明首次合成，该化合物可以用于合成式A所示的含硅聚合物，所合成的聚合物具有非常高的折光率以及阿贝数，有望应用于新型光学材料领域。

本发明授权一种含有两个硅氢键的邻二硅基化合物及其合成方法和应用在权利要求书中公布了：1.含有两个硅氢键的邻二硅基化合物的合成方法，其特征在于，所述方法为：惰性气体下，以式I所示的炔烃和式II所示的二氢硅烷在CoX2-OIP配合物催化剂作用下，在催化量的活化试剂存在下，进行第一步硅氢化反应；然后加入式III所示的二氢硅烷，加入CoBr2-Xantphos配合物作为催化剂，在催化量的活化试剂存在下，进行第二步硅氢化反应，制得式VI所示的含有两个硅氢键的邻二硅基化合物； ； 式I、式II、式III中，R1任选自未取代或含有取代基A的以下基团：C6~C20的芳基、C4~C20的杂环芳基； 所述C6~C20的芳基为苯基、3’,4’-2-亚甲基-1,3-二氧环-苯基或萘基； 所述C4~C20的杂环芳基为噻吩基、吡啶基、喹啉基、吲哚、苯并噻吩基； 所述取代基A为下列中的一种或两种以上：C1～C6的烷基、C1～C3的烷氧基、C1～C3的烷硫基、卤素、三氟甲基、羟基、氨基、苯基、甲氧羰基； 所述R2、R3任选自苯基或取代苯基，所述取代苯基上的取代基为下列中的一种或两种以上：C1～C6的烷基、C1～C3的烷氧基、C1～C3的烷硫基、卤素、三氟甲基、羟基、氨基； 所述CoX2-OIP配合物的结构式为式IV所示的化合物或其对映体，所述对映体即为式IV的镜像，式IV中，R9、R10、R11、R14、R16、R17、R19、R20均为H；R12为甲基；R13为C1-C4的烷基，R15为H、C1-C4的烷基、C1-C4的烷氧基或卤素；R18为C1-C4的烷基、苄基或苯基； X为F、Cl、Br、I、OAc、CF3SO3中的任意一种； ； CoBr2-Xantphos配合物的化学式如下式V-1所示： 。

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