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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院申请的专利一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116736921B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310660299.2，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路是由过伟;励勇远;张辰;朱光前;钱利波;朱樟明设计研发完成，并于2023-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路包括：带隙比较器，用于监控输入电压并在该电压超过第一预定值时产生使能信号；钳位电路联合限流电阻，用于在输入电压小于第一预定值时单独钳制栅极电压，使得芯片内部的电源电压保持在第二预定值；低压差线性稳压器LDO，用于在使能信号作用下通过控制栅极电压的方式精确控制芯片内部的电源电压并提高该电源的电源抑制比性能和动态响应性能。本发明电路可有效降低整机待机功耗，并降低电路复杂度，在满足AT_AF系统对低功耗和高精度电压监控要求的同时，可以为芯片内部提供更高电源抑制比和更高精度及快速响应的供电电源。

本发明授权一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路在权利要求书中公布了：1.一种适用于AT_AF协议芯片的带高压启动的LDO电路，其特征在于，包括：带隙比较器、钳位电路、限流电阻以及低压差线性稳压器LDO； 所述带隙比较器，用于监控输入电压并在输入电压超过第一预定值时产生使能信号； 钳位电路联合限流电阻，用于在输入电压小于第一预定值时单独钳制栅极电压，使得芯片内部的电源电压保持在第二预定值； 低压差线性稳压器LDO，用于在使能信号作用下通过控制栅极电压的方式精确控制芯片内部的电源电压； 所述带隙比较器包括：三极管：QN1、QN2；MOS管：PM1、PM2；电阻：R3、R4、R5、R6； 其中，QN1与QN2的基极、R3的第一端、R4的第一端连接，R3的第二端连接输入电压VIN；QN1的集电极与PM1的漏极、栅极以及PM2的栅极连接；PM1的发射极与R5的第一端连接；R5的第二端、R6的第一端与QN2的发射极连接；QN2的集电极与PM2的漏极连接，并输出使能信号EN；PM1的源极与PM2的源极连接，并连接电源VDD；R4的第二端与R6的第二端均接地GND； 所述钳位电路包括：二极管：Z0；开关：K1；反相器：A0； 其中，A0输入端接入使能信号EN，输出端连接K1的控制端，K1的第一端接地，第二端接Z0的输入端，Z0的输出端接限流电阻R0的第一端，限流电阻R0的第二端连接R3的第二端。

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