常州纵慧芯光半导体科技有限公司彭俊彦获国家专利权
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龙图腾网获悉常州纵慧芯光半导体科技有限公司申请的专利一种垂直腔面发射激光器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116526287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210069734.X，技术领域涉及：H01S5/042；该发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制造方法是由彭俊彦;翁玮呈;刘嵩;梁栋设计研发完成，并于2022-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直腔面发射激光器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制造方法，所述激光器包括：衬底；第一反射层，形成在所述衬底上；多个发光单元，形成在所述第一反射层上，且呈线性排列；第一欧姆金属层，形成在所述发光单元上；第一沟槽，环绕所述发光单元设置；至少一个第二沟槽，设置每个相邻的所述发光单元之间；以及第一电极，覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁和底壁，且连通所述第一欧姆金属层、所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及第二电极，与所述衬底连接。通过本公开的垂直腔面发射激光器及其制造方法，可改善光强与电流分布不均。
本发明授权一种垂直腔面发射激光器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，其至少包括： 衬底； 第一反射层，形成在所述衬底上； 多个发光单元，形成在所述第一反射层上，且呈线性排列； 第一欧姆金属层，形成在所述发光单元上； 第一沟槽，环绕所述发光单元设置； 至少一个第二沟槽，设置每个相邻的所述发光单元之间；以及 第一电极，覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁和底壁，且连通所述第一欧姆金属层、所述第一沟槽和所述第二沟槽；以及 第二电极，与所述衬底连接； 其中，所述第一沟槽和或所述第二沟槽内包括第一凹部和第二凹部，所述第二凹部位于所述第一凹部的底壁上，且第二凹部的蚀刻深度大于所述第一凹部的蚀刻深度。
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