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龙图腾网获悉安徽大学申请的专利一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路、模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116488635B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310479122.2，技术领域涉及：H03K19/094；该发明授权一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路、模块是由赵强;许鑫;林涵宇;张亚楠;董汉文;郝礼才;戴成虎;彭春雨;吴秀龙;蔺智挺设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路、模块在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路设计技术领域，更具体的，涉及一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路，以及基于该种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路封装的模块。本发明基于三级反相器结构构建出反相器链，不仅具备反相器的基本功能，还通过合理的电路设计，使得该反相器链屏蔽SET脉冲信号的能力突出，可以屏蔽任意方向电压跳变，保证输出节点o3仍能以正确的逻辑状态进行输出。

本发明授权一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路、模块在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽SET脉冲信号的反相器链电路，其特征在于，包括： 反相器单元一，其包括5个PMOS管P1~P5、5个NMOS管N1~N5，用于提供内部节点f1、f2、f3、f4、o1；其中，f2的上拉管为P1、P2，下拉管为P3、N1、N2、N3；f4的上拉管为P4、P5、N4，下拉管为N5；o1的上拉管为P1、P2、P3，下拉管为N1、N2；P1~P5、N1~N5均由输入信号in控制；所述反相器单元一将输入信号in输出到o1； P1的源极连接VDD，栅极连接in；P2的源极连接P1的漏极、并设置有f1，栅极连接P1的栅极；P3的源极连接P2的漏极、并设置有f2，栅极连接P2的栅极；P4的源极连接VDD，栅极连接in；P5的源极连接VDD，栅极连接in；N1的源极接地GND，栅极连接P3的栅极，漏极连接P3的漏极、并设置有o1；N2的源极接地GND，栅极连接in，漏极连接P3的漏极；N3的源极接地GND，栅极连接in，漏极连接P2的漏极；N4的栅极连接P4的栅极，漏极连接P4的漏极；N5的源极接地GND，栅极连接N4的栅极，漏极连接N4的漏极和P5的漏极、并设置有f4； 反相器单元二，其包括5个PMOS管P6~P10、5个NMOS管N6~N10，用于提供内部节点f5、f6、f7、f8、o2；其中，f6的上拉管为P6、P7，下拉管为P8、N6、N7、N8；f8的上拉管为P9、P10、N9，下拉管为N10；o2的上拉管为P6、P7、P8，下拉管为N6、N7；P6、P7由f4控制，P8、P9、P10由f2控制，N6~N10由o1控制；所述反相器单元二将o1的信号输出到o2； 以及 反相器单元三，其包括5个PMOS管P11~P15、5个NMOS管N11~N15，用于提供内部节点f9、f10、f11、f12和输出节点o3；其中，f10的上拉管为P11、P12，下拉管为P13、N11、N12、N13；f12的上拉管为P14、P15、N14，下拉管为N15；o3的上拉管为P11、P12和P13，下拉管为N11、N12；P11、P12由f8控制，P13、P14、P15由f6控制，N11~N15由o2控制；所述反相器单元三将o2的信号输出到o3； 若in为低电平，当f1~f9、f11、f12、o1~o2中任一节点受到轰击，或f1~f12、o1~o3均未受到轰击，o3输出高电平； 若in为高电平，当f1~f12、o1~o2中任一节点受到轰击，或f1~f12、o1~o3均未受到轰击，o3输出低电平。

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