扬州大学刘霄羽获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州大学申请的专利一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116482788B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310458953.1，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器是由刘霄羽;钱沁宇;樊莉;王钦华设计研发完成，并于2023-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器，采用生长在二氧化硅上的纳米圆柱和圆环阵列，两组圆环结构分别选用电介质材料砷化镓和硅。优化结构参数后，波长从紫外到中红外，在吸收带100‑710nm中实现了0.913的平均吸收率，在非吸收带1260nm‑20μm波段内平均吸收仅为0.02。其中ER为9.6dB，ED为0.81，CS为0.0015nm‑1‑1。本发明所提出的完美截止吸收体正好具备这种光谱选择性，其为设计理想的太阳热吸收器提供了一种有效的方法，这在可再生能源领域，例如太阳热光电和太阳热能应用中具有重要的应用。
本发明授权一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于纳米圆结构的超表面完美截止吸收器，其特征在于，包括衬底，所述衬底上设有纳米圆柱阵列，每个纳米圆柱顶部均设有同轴的内环和外环，所述内环和外环采用不同的电介质材料，所述外环的高度小于内环的高度，且所述内环的外径等于所述外环的内径； 所述内环的材料为砷化镓，所述外环的材料为硅； 所述内环的内径r1=68nm，外径r2=100nm，高h2=120nm；所述外环的外径r3=130nm，高h3=50nm；所述纳米圆柱的高h1=146nm，所述纳米圆柱阵列的周期P=292nm。
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