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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利单个非易失性器件存储正负权重的突触结构、神经网络电路、存算一体芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116451751B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210007217.X，技术领域涉及：G06N3/063；该发明授权单个非易失性器件存储正负权重的突触结构、神经网络电路、存算一体芯片和电子设备是由张鑫;汤宇哲;曾应;刘学峰;李根设计研发完成，并于2022-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本单个非易失性器件存储正负权重的突触结构、神经网络电路、存算一体芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及提供一种单个非易失性器件存储正负权重的突触结构，包括：第一非易失性存储器NVM列、第二NVM列、电流电压转换器IVC、激活函数电路、共模信号计算电路和共模信号抽取电路；该第一NVM列和第二NVM列的输入端与输入信号组直接连接，该第一NVM列的输出端与IVC的输入端连接，IVC的输出端与激活函数电路输入端连接，该第二NVM列的输出端与共模信号计算电路输入端连接，共模信号计算电路的输出端与共模信号抽取电路的输入端连接，共模信号抽取电路的输出端与第一NVM列输出端连接。本发明在神经网络电路中通过共用共模电导NVM列和简单外围电路来降低器件资源开销。

本发明授权单个非易失性器件存储正负权重的突触结构、神经网络电路、存算一体芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种单个非易失性器件存储正负权重的突触结构，其特征在于，包括：第一非易失性存储器NVM列、第二NVM列、电流电压转换器IVC、激活函数电路、共模信号计算电路和共模信号抽取电路；所述第一NVM列和第二NVM列的输入端与输入信号组直接连接，所述第一NVM列的输出端与IVC的输入端连接，IVC的输出端与激活函数电路输入端连接，所述第二NVM列的输出端与共模信号计算电路输入端连接，共模信号计算电路的输出端分别与共模信号抽取电路的输入端连接，共模信号抽取电路的输出端与第一NVM列输出端连接， 所述第一NVM列和第二NVM列中的NVM为忆阻器且数目都为M，且第i个NVM输入端接输入信号组的第i个输入信号Vini，i＝1,2，…，M；所述第一NVM列的所有NVM的输出端与第一NVM列输出端连接，其中第一NVM列中第i个NVM的存储值为共模电导值G和差模电导值gi，i＝1,2，…，M之和；所述第二NVM列的所有NVM的输出端与第二NVM列输出端连接，第二NVM列中的NVM的存储值均为G， 所述共模信号计算电路计算的信号为共模电流信号，所述计算的共模电流与输入信号组满足以下关系：ICM＝G*Vin1+Vin2+…+VinM，其中ICM为共模电流，G为第一NVM列和第二NVM列中NVM所存储的共模电导值，Vini为输入信号组第i个输入信号，i＝1,2，…，M， 所述共模信号计算电路由正向电流镜和负向电流镜组成，其中正向电流镜的输入端和负向电流镜的输入端与第二NVM列的输出端连接，正向电流镜的镜像端和负向电流镜的镜像端连接标准电位Vref；所述正向电流镜的电流为IP，所述正向电流镜电压输出端的输出电压VP与IP相关；所述负向电流镜的电流为IN，所述负向电流镜电压输出端的输出电压VN与IN相关；IP、IN和ICM满足以下关系：ICM＝IN-IP， 所述共模信号抽取电路由一个NMOS和一个PMOS组成，所述NMOS的源极接最低电位，所述PMOS的源极接最高电位，NMOS和PMOS的漏极共同连接在第一NVM列的输出端，所述NMOS和PMOS栅极分别与负向电流镜电压输出端和正向电流镜电压输出端连接；所述共模信号抽取电路的抽取电流IEX共模电流ICM的关系满足以下关系：IEX＝-ICM， 所述激活函数电路采用tanh型激活函数且其输入输出特性曲线与标准激活函数曲线反向。

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