深圳技术大学王小胡获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种中子探测器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116430436B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-02-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310271801.0,技术领域涉及:G01T3/00;该发明授权一种中子探测器是由王小胡;孟鹏伟;李泽仁设计研发完成,并于2023-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种中子探测器在说明书摘要公布了:本申请公开了一种中子探测器。本申请的中子探测器包括盖板、底座和若干个层叠的涂硼微间隙室电极,盖板和底座组成容纳涂硼微间隙室电极的气体腔;盖板设有入射窗,入射窗内表面安装涂硼阴极板;涂硼微间隙室电极包括基板,基板面向盖板的面设有若干相互平行的金属读出条,金属读出条的表面在与之垂直的方向设有若干相互平行的金属阳极条,读出条和阳极条间由绝缘层隔开;基板面向底座的面涂覆有硼薄膜层。本申请的中子探测器,相对于现有的多层涂硼多丝正比室,具有更高的位置分辨率和最高计数率,相对于现有的多层涂硼GEM,本申请中子探测器每一层都自带二维读出能力,不需要添加额外的读出电极,更易于采用多层结构实现高效率中子探测。
本发明授权一种中子探测器在权利要求书中公布了:1.一种中子探测器,其特征在于:包括盖板1、底座2,以及安装在盖板1和底座2之间的若干个层叠的涂硼微间隙室电极3,盖板1和底座2组成容纳涂硼微间隙室电极3的气体腔; 所述盖板1上设置有入射窗11,入射窗11的内表面安装有涂硼阴极板12; 所述涂硼微间隙室电极3包括基板31,基板31面向盖板1的面设置有若干个相互平行的金属读出条32,金属读出条32的表面在与金属读出条32相互垂直的方向设置有若干个相互平行的金属阳极条33,并且,金属读出条32和金属阳极条33之间由绝缘层34隔开;基板31面向底座2的面涂覆有硼薄膜层35; 所述若干个层叠的涂硼微间隙室电极3具体包括4-20个层叠的涂硼微间隙室电极;并且,各层叠的涂硼微间隙室电极的金属阳极条的走向相同,即位于不同层的涂硼微间隙室电极的金属阳极条相互平行。
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